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IRF740A 发布时间 时间:2025/6/4 1:38:49 查看 阅读:4

IRF740A是一种N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于功率开关、电源管理、电机驱动等场景。其优化的设计使其具有更低的导通电阻和更高的效率,适用于中低频功率转换应用。IRF740A是IRF740的改进版本,性能更为优越。

参数

最大漏源电压:500V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:7.8A
  脉冲漏极电流:35A
  导通电阻:0.6Ω(典型值,VGS=10V时)
  总功耗:115W
  结温范围:-55℃至+150℃

特性

IRF740A是一款高性能的MOSFET器件,其主要特性如下:
  1. 高耐压能力:500V的最大漏源电压使其适合高压环境下的应用。
  2. 低导通电阻:在VGS=10V时,导通电阻为0.6Ω,可有效降低功率损耗。
  3. 快速开关特性:具备较低的输入电容和输出电容,有助于提高开关速度。
  4. 热稳定性强:能够在较宽的温度范围内工作,确保在极端条件下的可靠性。
  5. 更高的效率:相比前代产品,IRF740A通过优化设计进一步降低了导通损耗和开关损耗。
  6. 小型封装:通常采用TO-220封装,便于散热和安装。

应用

IRF740A因其优异的性能被广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS):包括适配器、充电器以及DC-DC转换器。
  2. 电机控制:用于直流无刷电机、步进电机等的驱动电路。
  3. 逆变器:在光伏逆变器和其他类型的逆变器中用作功率开关。
  4. 负载开关:在需要快速切换大电流负载的应用中发挥重要作用。
  5. 电子镇流器:用于荧光灯和其他照明设备的电子镇流器中。
  6. 继电器替代:利用其快速响应和高可靠性的特点,可以替代传统机械继电器。

替代型号

IRF740
  IRF740C
  STP75NF50
  FQP14N50

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IRF740A参数

  • 标准包装1,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)400V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C10A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C550 毫欧 @ 6A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs36nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1030pF @ 25V
  • 功率 - 最大125W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商设备封装TO-220AB
  • 包装管件
  • 其它名称*IRF740A