时间：2025/5/31 3:00:00
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H9TKNNN8JDAPLR-NGH 是一款由 SK 海力士（SK Hynix）生产的 NAND 闪存芯片，主要应用于嵌入式存储设备、固态硬盘（SSD）、UFS 存储模块以及消费类电子产品的存储解决方案中。该芯片采用了先进的 TLC（Triple-Level Cell）技术，能够以较低的成本提供大容量的存储空间，同时保持较高的读写性能和可靠性。
这款芯片的设计注重在移动设备和物联网（IoT）领域中的应用，适合需要高密度存储但对成本敏感的应用场景。
容量：512GB
接口类型：Toggle DDR 3.0
工作电压：1.8V
封装形式：BGA
I/O 引脚数：78
擦写寿命：约 1000 次
数据保留时间：最低 1 年（在 25°C 下）
工作温度范围：-25°C 至 +85°C
传输速率：最高可达 800MT/s
H9TKNNN8JDAPLR-NGH 芯片采用 TLC 架构，提供了出色的性价比。其 Toggle DDR 3.0 接口使得数据传输速率大幅提升，适用于高速存储需求的场景。
此外，该芯片具有以下特点：
1. 高密度存储能力，单颗芯片即可提供高达 512GB 的存储空间。
2. 低功耗设计，非常适合电池供电的便携式设备。
3. 稳定性高，在各种环境条件下均能保持可靠运行。
4. 支持多种 ECC 校正方案，有效提高数据完整性。
5. 符合 JEDEC 标准，便于与现有系统兼容。
H9TKNNN8JDAPLR-NGH 主要应用于以下领域：
1. 移动设备：智能手机、平板电脑等需要大容量存储的设备。
2. 固态硬盘：用于消费级和企业级 SSD 中的存储介质。
3. 嵌入式系统：工业控制、车载电子、医疗设备等需要稳定存储的场合。
4. 物联网设备：智能家居、可穿戴设备等需要高效能存储的终端产品。
5. 数字多媒体设备：如数字电视、机顶盒等需要存储大量媒体内容的设备。
H9HCNNN8JMAPLR-KGH, H9HPNNN8JDGMLR-KGH
