H9TKNNN6CDMPRR-NDH 是一款由Hynix(现为SK hynix)生产的DRAM(动态随机存取存储器)芯片,属于高密度、高性能的存储器件。这款DRAM芯片采用了先进的制造工艺,提供较大的存储容量和较快的数据访问速度,适用于对存储性能要求较高的应用场景。
类型: DRAM
容量: 256MB
组织结构: x16
电压: 1.8V
封装: 54-ball FBGA
工作温度: 工业级(-40°C至+85°C)
接口类型: 并行接口
时钟频率: 166MHz
访问时间: 5.4ns
H9TKNNN6CDMPRR-NDH 具有以下显著特性:
1. 高容量:该芯片提供了256MB的存储容量,满足现代电子设备对大容量内存的需求。对于需要大量数据缓存或频繁数据读写的应用场景,例如图形处理、嵌入式系统和高端消费类电子产品,它能够提供良好的性能支持。
2. 低功耗设计:工作电压为1.8V,这种低压设计显著降低了芯片的功耗,使其适用于电池供电设备,如智能手机、平板电脑和便携式嵌入式设备。
3. 高速性能:时钟频率高达166MHz,访问时间低至5.4ns,确保了快速的数据存取能力,能够有效提升系统的整体响应速度和效率。
4. 工业级工作温度范围:该芯片的工作温度范围为-40°C至+85°C,适用于各种严苛的环境条件,包括工业自动化设备、车载系统和户外电子设备。
5. 并行接口设计:采用x16并行接口,提供了较宽的数据带宽,支持高速数据传输和多任务处理需求,适用于需要高吞吐量的系统架构。
6. 小型化封装:采用54-ball FBGA封装技术,体积小巧,节省PCB空间,并提供良好的散热性能,适合高密度的电路设计需求。
H9TKNNN6CDMPRR-NDH 主要应用于以下领域:
1. 移动设备:如智能手机、平板电脑和可穿戴设备,其低功耗和小尺寸封装使其成为移动设备的理想选择。
2. 嵌入式系统:包括工业控制设备、医疗仪器和自动化设备,这些设备需要可靠且高效的内存解决方案以支持复杂的数据处理任务。
3. 消费电子产品:如数字电视、游戏机和机顶盒,其高速性能和大容量存储能力能够满足多媒体应用的需求。
4. 车载电子设备:由于其宽工作温度范围和可靠性,适用于汽车导航系统、车载娱乐设备和车载监控系统。
5. 网络设备:如路由器、交换机和无线基站,其高性能和低延迟特性能够提升网络设备的数据处理能力。
H9TKNNN6CDMPRR-ND