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SQ4840EY-T1-GE3 发布时间 时间:2025/6/26 12:19:49 查看 阅读:7

SQ4840EY-T1-GE3 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要应用于高频开关电源、电机驱动和 DC-DC 转换器等场景。该芯片具有低导通电阻、高开关速度以及良好的热稳定性,能够显著提升系统的效率和可靠性。
  该器件采用先进的半导体制造工艺,具备出色的电气性能和耐用性。其封装形式通常为 TO-220 或 DPAK,便于散热设计并支持表面贴装技术(SMT),广泛适用于消费电子、工业控制和汽车电子领域。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:40A
  导通电阻:2.5mΩ
  栅极电荷:35nC
  开关频率:高达 1MHz
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
  封装形式:TO-220 / DPAK

特性

SQ4840EY-T1-GE3 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),有效降低功耗。
  2. 快速的开关速度,支持高频操作以减小磁性元件体积。
  3. 高度集成的保护功能,如过流保护和短路保护,增强系统安全性。
  4. 出色的热性能,确保在高温环境下稳定运行。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且适合现代电子产品要求。

应用

该芯片适用于以下应用场景:
  1. 开关模式电源 (SMPS) 和 AC-DC 适配器。
  2. 电动工具和家用电器中的电机驱动电路。
  3. 汽车电子系统,例如电池管理系统 (BMS) 和电动助力转向 (EPS)。
  4. 工业自动化设备中的功率转换模块。
  5. 高效 DC-DC 转换器设计,支持多种电压调节需求。

替代型号

SQ4840EY-T1-GA3, IRFZ44N, FDP5500, BUK7Y2R8-40E

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SQ4840EY-T1-GE3参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列TrenchFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)40V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C20.7A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C9 毫欧 @ 14A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs62nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds2440pF @ 20V
  • 功率 - 最大7.1W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SOICN
  • 包装带卷 (TR)