容量：1TB
　　工艺技术：3D NAND
　　接口类型：ONFI 4.0 / Toggle Mode 3.0
　　读取速度：1200 MT/s
　　写入速度：1200 MT/s
　　电压：3.3V / 1.8V / 1.2V
　　封装形式：TSOP
　　工作温度范围：0°C 至 +85°C

H9TKNNN4KDMPRRNYM 是一款采用先进的3D NAND技术制造的高性能闪存芯片，具备卓越的数据存储能力和稳定性。3D NAND结构相比传统的平面NAND技术，能够在单位面积上实现更高的存储密度，同时降低单位存储成本。该芯片的ONFI 4.0 / Toggle Mode 3.0接口支持高速数据传输，最大读写速度可达1200 MT/s，满足高吞吐量应用场景的需求。
　　该芯片的多层电压设计（3.3V / 1.8V / 1.2V）有助于降低功耗并提高能效，适用于对能耗敏感的企业级和嵌入式系统。此外，H9TKNNN4KDMPRRNYM具备较高的耐用性和数据保留能力，能够承受频繁的读写操作，并在极端环境下保持数据完整性。其TSOP封装形式提供了良好的电气性能和机械稳定性，适用于工业级和商业级设备。
　　这款NAND闪存芯片还支持先进的错误校正（ECC）技术和磨损均衡（Wear Leveling）算法，确保长期运行的可靠性。其高集成度和优化的架构设计，使其在SSD控制器的管理下实现更高效的垃圾回收（Garbage Collection）和Trim操作，延长存储设备的使用寿命。

H9TKNNN4KDMPRRNYM 主要应用于高性能固态硬盘（SSD）、企业级存储解决方案、数据中心服务器、工业计算机、高端嵌入式系统以及需要大容量、高速存储的消费类电子产品。凭借其卓越的读写性能和稳定性，该芯片也非常适合用于AI加速存储、视频编辑、虚拟化环境等对数据吞吐要求极高的场景。

H9TQNNN8KGMDAR8Y, H9TQNNN8K3MLR8DM, H9HQNNN8KMMDAR8Y