时间：2025/9/1 22:58:01
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H9TKNNN4KDAPQR-NGM 是由SK Hynix（海力士）生产的一款高密度、高性能的DRAM（动态随机存取存储器）芯片，通常用于高端计算、服务器和移动设备中。该型号属于LPDDR4（低功耗双倍数据速率第四代）系列，具有低功耗、高速数据传输和高集成度的特点。
容量：4GB（Gigabit）
数据速率：3200Mbps
电压：1.1V
封装类型：FBGA
数据总线宽度：16位
时钟频率：1600MHz
工作温度范围：-40°C至85°C
封装尺寸：9mm x 11mm
存储架构：DRAM
内存类型：LPDDR4 SDRAM
H9TKNNN4KDAPQR-NGM 是一款高性能低功耗DRAM芯片，采用先进的LPDDR4技术，提供高速数据传输能力，适用于高要求的移动设备和嵌入式系统。该芯片支持高达3200Mbps的数据速率，能够在低电压（1.1V）下运行，显著降低功耗，提高能效。其16位的数据总线宽度设计使得数据传输更加高效，适用于高性能计算、图形处理和多任务处理场景。
这款DRAM芯片采用紧凑的FBGA封装，尺寸为9mm x 11mm，适合空间受限的便携式设备。其宽工作温度范围（-40°C至85°C）使其能够在各种环境条件下稳定运行，包括高温和低温环境。H9TKNNN4KDAPQR-NGM 还具备良好的信号完整性和抗干扰能力，确保在复杂电磁环境中仍能保持稳定性能。
H9TKNNN4KDAPQR-NGM 主要应用于需要高性能和低功耗内存的设备，包括高端智能手机、平板电脑、嵌入式系统、工业计算机和服务器内存模块。它特别适合用于需要高速数据处理和多任务操作的场景，如图形密集型应用、视频流处理和大型应用程序运行。
H9HKNNN8GBAPQR-NGM, H9HKNNN8GDAPQR-NGM, H9HPNNS8GMDPR-NGM
