容量：4GB
　　类型：HBM2E（High Bandwidth Memory Generation 2 Enhanced）
　　频率：3.6 Gbps
　　电压：1.3V
　　接口：宽I/O并行接口
　　封装尺寸：根据HBM标准封装设计
　　工作温度范围：0°C 至 +95°C

H9TKNNN4JDAPLR-NGM 是一款HBM2E存储器芯片，具有以下几个显著的特性：
　　1. **高带宽**：该芯片支持高达3.6 Gbps的数据传输速率，能够为GPU和AI加速器提供超过400 GB/s的带宽，极大地提升了数据处理能力。
　　2. **低功耗设计**：HBM2E相比传统的GDDR5或GDDR6显存，功耗更低，同时提供更高的能效比，适用于对功耗敏感的高性能计算设备。
　　3. **堆叠封装技术**：采用3D堆叠技术，将多个DRAM芯片垂直堆叠在一个封装内，减少了PCB板的空间占用，提高了内存密度。
　　4. **紧凑的封装**：HBM2E存储器的封装尺寸非常紧凑，适用于空间受限的高端图形和计算设备。
　　5. **高可靠性**：该芯片支持宽温度范围（工业级工作温度范围），适合用于高性能服务器、数据中心、图形卡和AI加速卡等应用场景。
　　6. **兼容性与可扩展性**：HBM2E规范允许系统设计者根据需要扩展内存容量，适用于未来升级和性能提升。

H9TKNNN4JDAPLR-NGM 主要应用于需要极高带宽和低功耗的高性能计算系统，例如：
　　? 图形处理单元（GPU），如NVIDIA A100、AMD Instinct MI210等；
　　? AI加速器和深度学习训练平台；
　　? 高性能计算（HPC）设备；
　　? 高端游戏显卡和工作站显卡；
　　? 数据中心和云计算加速设备；
　　? 网络交换芯片和AI推理设备。

H9TKNNN4JDAPLR-NGM 的替代型号包括：H9TKNNN4JDAVAR-NGM（同系列不同频率版本）、H5ANM8N4JFR0Y8R（三星HBM2E）、以及KMQJ10012M_B324（美光HBM2E）等。