容量：8GB（具体容量取决于实际配置）
　　封装类型：BGA
　　工作电压：1.02V ~ 1.18V（VDD）
　　数据速率：5500Mbps/6400Mbps（具体取决于型号后缀）
　　接口标准：LPDDR5 SDRAM
　　封装尺寸：100-ball BGA（具体尺寸可能因版本不同而略有差异）
　　温度范围：-40°C ~ +85°C
　　制造厂商：SK Hynix

H9TKNNN4GDAPLR-NGHR 具备多项先进特性，使其在现代移动设备中表现优异。首先，该芯片支持LPDDR5标准，具备更低的电压（1.02V~1.18V），相比前代LPDDR4X在功耗上有显著降低，特别适用于电池供电的移动设备。
　　其次，该芯片支持高速数据传输，最大数据速率达到6400Mbps，能够满足高性能处理器对内存带宽的需求，提升系统整体运行效率。此外，LPDDR5引入了新的架构优化，如Bank Group架构、预取机制以及命令总线训练（Command/Address Training），从而提升数据传输效率和稳定性。
　　该芯片还具备良好的热管理和可靠性设计，能够在-40°C至+85°C的宽温度范围内稳定工作，适应各种复杂的使用环境。封装形式采用100-ball BGA，体积小巧，适合高密度PCB布局，有助于设备的小型化设计。
　　此外，H9TKNNN4GDAPLR-NGHR 还支持多种节能模式，包括深度掉电模式（Deep Power Down Mode）和自刷新模式（Self-Refresh Mode），以进一步降低功耗并延长设备续航时间。

H9TKNNN4GDAPLR-NGHR 主要应用于高端智能手机、平板电脑、可穿戴设备以及嵌入式系统等需要高性能、低功耗内存的场合。它为移动设备提供了快速的数据访问能力，支持多任务处理、高清视频播放、大型游戏运行以及AI计算等高性能需求。此外，该芯片也可用于车载信息娱乐系统、工业控制设备以及物联网（IoT）终端等对功耗和性能有较高要求的应用场景。

H9HKNNN4GDR0YR-NEF,H9HKNNN4GDAPLR-NGFR,H9HKNNN4GDAPLR-NHFR