H9TKNNN2GDMP-LRNDM 时间：2025/9/2 3:10:57 阅读：14

H9TKNNN2GDMP-LRNDM 是由SK Hynix（海力士）生产的一款高密度、高性能的DRAM（动态随机存取存储器）芯片。该芯片属于移动DRAM类别，专为低功耗和高带宽需求设计，适用于高端智能手机、平板电脑和其他便携式电子设备。这款DRAM芯片采用了先进的制造工艺，提供较大的存储容量和较高的数据传输速率，以满足现代移动设备对性能和能效的严格要求。

参数

容量：2GB（Gigabytes）
　　类型：LPDDR4（Low Power Double Data Rate 4）
　　封装类型：FBGA（Fine Pitch Ball Grid Array）
　　接口：x16
　　工作电压：1.1V（VDD）和0.6V（VDDQ）
　　数据速率：3200Mbps（Mega bits per second）
　　时钟频率：1600MHz
　　封装尺寸：100-ball FBGA，具体尺寸为8mm x 10mm x 0.75mm（近似值）
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C

特性

H9TKNNN2GDMP-LRNDM 是一款 LPDDR4 SDRAM 芯片，专为移动设备设计，具有低功耗和高带宽特性。其核心特性包括双倍数据速率（DDR）架构、多银行并行操作以及先进的电源管理功能，支持设备在高性能模式和低功耗模式之间切换，以延长电池续航。该芯片的x16数据总线配置优化了数据吞吐量，并减少了封装尺寸，适用于紧凑型移动设备主板设计。此外，其工作电压分为核心电压（VDD）1.1V 和 I/O 电压（VDDQ）0.6V，这种双电压设计进一步降低了功耗，同时提升了信号完整性。
　　该芯片还支持多种高级功能，如预取缓冲、自动刷新、自刷新和温度补偿自刷新（TCSR），以提高数据稳定性和可靠性。LPDDR4 的命令和地址总线采用多路复用设计，减少了引脚数量，降低了封装复杂度。此外，H9TKNNN2GDMP-LRNDM 还支持突发长度（BL）为16的突发访问模式，提高了数据传输效率。其封装采用100-ball FBGA，具有良好的热性能和机械稳定性，能够在高密度PCB布局中保持可靠连接。
　　为了满足移动设备对性能和能效的双重需求，该DRAM芯片在制造过程中采用了先进的纳米级工艺技术，确保在高频率下运行的稳定性。其时钟频率可达1600MHz，数据传输速率为3200Mbps，能够支持多任务处理、高清视频播放、大型游戏等高负载应用场景。