制造商：SK Hynix
　　产品型号：H9TKNNN2GDAPLR-NGM
　　内存类型：HBM2E（High Bandwidth Memory 2 Enhanced）
　　容量：2GB/4GB/8GB（根据具体型号）
　　带宽：每堆栈高达460GB/s（根据频率和配置）
　　数据速率：3.2Gbps - 4.0Gbps
　　电压：1.2V - 1.8V（根据功能需求）
　　封装类型：3D堆叠封装
　　接口类型：多层堆叠互联（TSV，Through-Silicon Via）
　　工作温度范围：0°C 至 +85°C
　　封装尺寸：约5.5mm x 7.5mm
　　应用领域：GPU、AI加速器、网络设备、高性能计算

H9TKNNN2GDAPLR-NGM 是HBM2E内存的一种高密度、高性能实现，具备多项显著优势。
　　首先，该芯片采用先进的3D堆叠封装技术，通过硅通孔（TSV）实现多层DRAM芯片的垂直互连，大幅减少了内存模块的物理尺寸，同时提升了内存带宽。这种技术不仅提高了数据传输效率，还降低了功耗，适用于需要高带宽、低延迟的计算任务。
　　其次，HBM2E标准相比前代HBM2提供了更高的带宽和更大的单堆栈容量，支持高达460GB/s的数据传输速率，适合处理AI训练、图形渲染、大规模数据库和实时数据分析等复杂工作负载。
　　此外，H9TKNNN2GDAPLR-NGM 的封装设计优化了信号完整性和热管理性能，确保在高频率下稳定运行。其工作电压范围合理，支持1.2V至1.8V之间，适应不同应用场景的功耗要求，同时具备良好的散热性能和可靠性。
　　最后，该芯片的紧凑封装形式（约5.5mm x 7.5mm）使其非常适合用于空间受限的高端计算设备，如AI加速卡、图形显卡和嵌入式计算模块。

H9TKNNN2GDAPLR-NGM 主要用于需要极高内存带宽和紧凑封装的高性能计算设备和系统中。典型应用包括：
　　1. **GPU（图形处理单元）**：如NVIDIA、AMD等厂商的高端显卡，用于图形渲染、深度学习训练和推理等场景。
　　2. **AI加速器**：用于人工智能和机器学习领域，如TPU（张量处理单元）、FPGA加速卡等，以满足大规模并行计算对内存带宽的需求。
　　3. **网络设备**：如高速网络交换芯片或路由器，用于提升数据转发和处理效率。
　　4. **高性能计算（HPC）系统**：包括超级计算机、科学计算平台和实时数据分析系统，支持复杂算法和大规模数据集的处理。
　　5. **数据中心服务器**：用于加速关键任务应用程序，如大规模数据库、虚拟化环境和云服务平台。

H9HNNN82GAMR-N2G, H9HMNN82GAMR-N2G, H9HSNNN8GDAPR-NEG