时间：2025/9/2 8:21:09
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H9TKNNN2GDAPLR-NDM 是由SK Hynix（海力士）生产的一款高密度、高性能的NAND闪存芯片。这款NAND闪存芯片采用先进的制造工艺，具有大容量、低功耗和高可靠性等特点，适用于需要大容量存储和高速数据读写的嵌入式系统、SSD（固态硬盘）、移动设备和消费类电子产品。
型号：H9TKNNN2GDAPLR-NDM
类型：NAND Flash
容量：256GB
封装类型：BGA
接口：ONFI 4.0 / Toggle Mode 2.0
电压范围：1.8V / 3.3V
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
最大读取速度：800MT/s
最大写入速度：800MT/s
ECC要求：需要
H9TKNNN2GDAPLR-NDM NAND闪存芯片采用了先进的3D NAND技术，提供更高的存储密度和更快的数据传输速度。其最大读写速度可达800MT/s，满足现代高性能存储设备的需求。
该芯片支持ONFI 4.0和Toggle Mode 2.0两种接口标准，具有良好的兼容性和灵活性，适用于多种主控方案。其低电压设计（1.8V和3.3V）有助于降低功耗，延长设备电池寿命，同时减少热量产生，提高系统稳定性。
此外，该NAND闪存芯片具有宽工作温度范围（-40°C 至 +85°C），适用于各种工业和车载应用环境。由于其高可靠性和耐用性，H9TKNNN2GDAPLR-NDM也适用于需要长时间运行和频繁数据读写的应用场景。
该芯片采用BGA封装形式，体积小巧，适合高密度PCB布局，适用于空间受限的移动设备和嵌入式系统。为确保数据完整性，该芯片需要外部控制器提供ECC（错误校正码）支持，通常用于配备高性能主控芯片的设备中。
H9TKNNN2GDAPLR-NDM 主要应用于需要大容量存储和高性能数据读写的设备，如智能手机、平板电脑、嵌入式系统、固态硬盘（SSD）、车载娱乐系统和工业计算机。其低功耗设计也使其成为电池供电设备的理想选择。
H9TNNN88GMMACPR-NDM, H9TNNN88GUMACPR-NDM, H9TNNN88GVMACPR-NDM
