H5MS2G62MFR-Q3 是由SK Hynix生产的一款高密度、高性能的DRAM(动态随机存取存储器)芯片。该型号属于移动DRAM类别,专为高性能便携式设备设计,例如智能手机、平板电脑以及嵌入式系统。H5MS2G62MFR-Q3具备2Gb的存储容量,采用x16位宽的I/O接口,适用于需要快速数据处理和存储的应用场景。这款DRAM芯片采用了先进的制造工艺,以确保低功耗运行和高可靠性。
容量:2Gb
组织结构:x16位宽
电压:1.8V或2.5V(具体取决于工作模式)
封装类型:FBGA(Fine-Pitch Ball Grid Array)
接口类型:异步/同步接口(根据型号版本)
工作温度范围:工业级温度范围(-40°C至+85°C)
最大访问时间:符合标准DRAM时序规格
H5MS2G62MFR-Q3具备多项优异特性,包括高速数据存取、低功耗设计、高集成度和出色的稳定性。该芯片支持异步和同步两种操作模式,可以根据应用需求灵活选择。FBGA封装提供了良好的散热性能和空间节省,适合在紧凑型电子设备中使用。此外,该DRAM芯片采用了先进的CMOS工艺制造,具有较高的抗干扰能力和数据保持能力,确保在复杂工作环境下的稳定运行。芯片内部集成了刷新电路,简化了外部控制器的设计,降低了系统开发的复杂性。
H5MS2G62MFR-Q3主要应用于需要高速内存支持的便携式电子产品,如智能手机、平板电脑、数码相机、便携式游戏机等。此外,它也适用于通信设备、网络设备、车载导航系统、工业控制系统和嵌入式系统等需要高性能内存的领域。
H5MS2G62EFR-Q3C, H5MS2G62AMR-Q3C