时间：2025/9/2 2:03:46
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H9TKNNN2GD 是由SK Hynix（海力士）生产的一款NAND闪存芯片。该芯片属于高密度存储器件，广泛应用于需要大容量存储的设备中，如固态硬盘（SSD）、嵌入式存储系统和消费类电子产品。这款NAND闪存芯片采用先进的制造工艺，提供高速数据读写能力，并具备良好的可靠性和耐用性。H9TKNNN2GD 通常用于需要高性能存储解决方案的场景，例如智能手机、平板电脑、工业控制设备和车载系统。
容量：256GB
接口类型：ONFI 4.0 / Toggle Mode 2.0
工作电压：1.8V / 3.3V
封装形式：BGA
数据传输速率：800MT/s
存储单元类型：TLC（Triple-Level Cell）
擦写周期：约3000次
工作温度范围：0°C 至 85°C
H9TKNNN2GD NAND闪存芯片具备多项先进特性，首先是其大容量存储能力，256GB的容量使其适用于高数据密度的应用场景。该芯片支持ONFI 4.0和Toggle Mode 2.0两种接口协议，能够提供高达800MT/s的数据传输速率，从而显著提升存储系统的整体性能。
该芯片采用TLC（Triple-Level Cell）技术，每个存储单元可存储三个比特的数据，从而在相同芯片面积下实现更高的存储密度，降低了单位存储成本。尽管TLC技术在写入速度和耐久性上略逊于MLC（Multi-Level Cell），但通过纠错编码（ECC）和磨损均衡（Wear Leveling）等技术的优化，H9TKNNN2GD 依然能够提供良好的数据完整性和使用寿命。
此外，H9TKNNN2GD 支持宽电压工作范围（1.8V 和 3.3V），使其能够适应不同的电源设计需求。其BGA（Ball Grid Array）封装形式提供了良好的电气性能和热稳定性，适用于高密度PCB布局。工作温度范围为0°C至85°C，适用于大多数工业和消费类应用场景。
该芯片还具备出色的耐用性，支持约3000次擦写周期，适用于中等强度使用的存储系统。结合ECC和错误管理技术，可以有效延长芯片的使用寿命并提高数据可靠性。
H9TKNNN2GD 主要应用于需要大容量、高速存储的设备中。常见应用包括智能手机、平板电脑、嵌入式存储系统、固态硬盘（SSD）、工业控制设备、车载信息娱乐系统（IVI）以及物联网（IoT）设备等。该芯片的高性能和大容量使其成为现代消费电子产品和工业设备中理想的存储解决方案。
在智能手机和平板电脑中，H9TKNNN2GD 用于存储操作系统、应用程序、用户数据等，满足用户对大容量存储的需求。在固态硬盘领域，该芯片常被用于制造消费级和入门级企业级SSD，提供快速的数据读写能力和稳定的性能表现。在工业控制设备中，它可用于存储关键数据和程序代码，确保设备的稳定运行。
此外，H9TKNNN2GD 还适用于车载系统，如车载导航、信息娱乐系统和ADAS（高级驾驶辅助系统），在高振动和温度变化较大的环境下依然能够保持稳定的工作状态。在物联网设备中，该芯片用于存储传感器数据、日志信息和系统配置，为智能设备提供可靠的存储支持。
H9TQNNN8GD, H9HQNNN2GC, H9TPNNL8GD, H9TQNNN8GB
