H9TKNNN1GDMRTR-NDM 是由SK Hynix(海力士)公司生产的一种高密度、高性能的DRAM(动态随机存取存储器)芯片。这款芯片属于LPDDR5(低功耗双倍数据速率第5代)系列,主要用于移动设备、平板电脑、嵌入式系统等对功耗和性能有高要求的应用场景。H9TKNNN1GDMRTR-NDM 的封装形式为BGA(球栅阵列封装),具有较小的体积和较高的数据传输速率,适用于现代便携式电子设备。
容量:1GB(Gigabit)
类型:LPDDR5 SDRAM
电压:1.02V ~ 1.18V
频率:6400Mbps
封装:BGA
封装尺寸:8mm x 10mm
温度范围:-40°C ~ +85°C
接口:JEDEC标准接口
H9TKNNN1GDMRTR-NDM 是一款先进的LPDDR5内存芯片,具有多项先进的技术特性。
首先,该芯片采用了LPDDR5标准,相较于前代LPDDR4X,数据传输速率显著提升,最高可达6400Mbps,这使得设备在处理多任务、运行大型应用和游戏时更加流畅。同时,LPDDR5引入了新的节能特性,如深度睡眠模式(Deep Sleep Mode)和更低的工作电压(1.02V至1.18V),有效降低了整体功耗,延长了设备的电池续航时间。
其次,H9TKNNN1GDMRTR-NDM 使用了BGA封装技术,确保了信号完整性和电气性能的稳定性,适用于高密度PCB布局设计。该封装形式还提供了良好的散热性能,确保芯片在高负载下仍能保持稳定运行。
此外,该芯片支持JEDEC标准接口,确保与主流处理器和控制器的兼容性。它还具备良好的温度适应性,能够在-40°C至+85°C的宽温范围内正常工作,适用于工业级和消费级应用场景。
最后,H9TKNNN1GDMRTR-NDM 的1GB容量设计使其适用于中低端移动设备,能够在保证性能的同时控制成本,适合用于入门级智能手机、平板电脑和IoT设备。
H9TKNNN1GDMRTR-NDM 主要应用于对功耗和性能有较高要求的移动设备和嵌入式系统。其典型应用包括入门级智能手机、平板电脑、智能穿戴设备、物联网(IoT)设备以及车载信息娱乐系统等。由于其低功耗和高性能的特性,该芯片也非常适合用于需要长时间运行且对电池寿命有较高要求的设备。此外,在工业控制和自动化系统中,该芯片可以为嵌入式处理器提供高效的数据存储支持,确保系统稳定可靠地运行。
H9HKNNN8GDMRTR-NDM, H9HKNNN6GDMRTR-NDM