2SK2752WV-TL 时间：2025/9/7 16:29:16 阅读：19

2SK2752WV-TL 是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要设计用于高频率开关应用和功率放大电路。该器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和高开关速度的特点，适用于需要高效能和高可靠性的电源管理系统。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：1.5A
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：1.4Ω（最大值，VGS=10V）
　　功率耗散（PD）：200mW
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：SOT-363（小型表面贴装封装）

特性

2SK2752WV-TL MOSFET具备多项优异特性，适用于多种高性能电源管理应用。首先，其低导通电阻（Rds(on)）可显著降低开关过程中的功率损耗，提高系统整体效率。其次，该器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术，使得其在高频开关应用中表现出色，能够满足现代电子设备对高速开关性能的需求。此外，2SK2752WV-TL 采用SOT-363小型封装，适用于高密度PCB布局，有助于减小电路板尺寸并提升设计灵活性。
　　在可靠性方面，该MOSFET具有宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C），可在严苛环境下稳定运行。同时，其栅极氧化层设计可承受高达±20V的栅源电压，提高了抗静电能力和操作安全性。2SK2752WV-TL 还具有较低的输入电容（Ciss）和输出电容（Coss），有助于减少高频应用中的开关损耗，提高响应速度。这些特性使得该器件非常适合用于DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统以及便携式电子产品中的电源控制电路。

应用

2SK2752WV-TL MOSFET广泛应用于需要高效能和高稳定性的电源管理电路中。例如，在DC-DC转换器中，该器件可用于提高转换效率并减小电路尺寸；在电池管理系统中，可用于实现低功耗的负载开关控制；在便携式电子设备（如智能手机、平板电脑和可穿戴设备）中，可用于优化电源管理模块的设计。此外，它还可用于驱动小型电机、LED照明系统以及各种需要高频开关性能的模拟和数字电路。