时间：2025/9/2 3:42:17
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H9TKNNN1GDAPLR-NDM 是一款由SK Hynix（海力士）公司生产的高密度、高性能的DRAM（动态随机存取存储器）芯片。该型号属于LPDDR4（低功耗双倍数据速率第四代）系列，专为移动设备和高性能计算应用设计，具有较高的数据传输速率和较低的功耗特性。该芯片通常用于智能手机、平板电脑、嵌入式系统以及其他对性能和能效有严格要求的电子设备中。
类型：DRAM
系列：LPDDR4
容量：1GB
数据速率：3200Mbps
电压：1.1V / 1.5V（核心电压 / I/O电压）
封装类型：BGA（球栅阵列封装）
封装尺寸：134-ball
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
H9TKNNN1GDAPLR-NDM具备多项先进特性，确保其在高性能和低功耗场景中的稳定运行。首先，它支持高达3200Mbps的数据传输速率，能够满足现代移动设备对快速数据处理的需求。该芯片采用差分时钟和数据选通技术，确保在高速运行下的数据完整性与稳定性。
其核心电压为1.1V，I/O电压为1.5V，这使得它在提供高性能的同时保持较低的功耗，非常适合对电池寿命有高要求的移动设备。此外，该芯片支持多种低功耗模式，包括深度掉电模式、自刷新模式和预充电功耗降低模式，以进一步优化能效。
封装方面，H9TKNNN1GDAPLR-NDM采用134-ball BGA封装，具有较小的封装尺寸和良好的散热性能，适用于紧凑型设备设计。其工作温度范围为-40°C至+85°C，适应各种严苛环境条件下的稳定运行。
此外，该DRAM芯片支持突发长度BL16和BC4模式，允许灵活的内存访问方式，提高系统性能。同时，它内置温度补偿自刷新（TCSR）功能，确保在高温环境下仍能保持数据的完整性。
H9TKNNN1GDAPLR-NDM 主要应用于高端智能手机、平板电脑、嵌入式系统以及便携式消费电子产品。其高性能、低功耗和紧凑封装的特性，使其成为需要大容量内存和高效能处理能力的移动设备的理想选择。此外，该芯片也适用于工业自动化设备、汽车电子系统、智能穿戴设备以及物联网（IoT）设备等对功耗和性能均有较高要求的应用场景。在需要快速图形处理和多任务处理能力的设备中，如游戏手机、AR/VR设备，该芯片也能提供良好的内存支持。
H9TP32A4GDDCPR-NDM, H9TP64A2J1DABC-NDM, H9TP64A2J1DACB-NDM
