您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > H9TCNNNBLDMMPR-NGM

H9TCNNNBLDMMPR-NGM 发布时间 时间:2025/9/2 7:57:58 查看 阅读:8

H9TCNNNBLDMMPR-NGM 是由SK hynix生产的一款高带宽内存(HBM,High Bandwidth Memory)产品,属于HBM2代(HBM2E)的升级版本,通常用于高性能计算(HPC)、图形处理、AI加速器和高端显卡等需要极高内存带宽的应用场景。这款芯片采用了3D堆叠封装技术,通过硅通孔(TSV)将多个DRAM芯片堆叠在一起,从而实现更高的带宽和更小的物理尺寸。

参数

容量:8GB
  内存类型:HBM2E(High Bandwidth Memory Generation 2 Enhanced)
  带宽:约410 GB/s(具体值可能因系统配置而异)
  封装方式:3D堆叠TSV(Through Silicon Via)
  接口:专为高带宽设计的并行接口
  工作电压:1.2V
  制造工艺:基于SK hynix先进的DRAM工艺
  封装尺寸:根据HBM标准设计,通常为约5.5mm x 7.5mm
  温度范围:商业级(0°C 至 85°C)
  时钟频率:最高可达约1.2 Gbps/pin
  数据速率:最高可达3.6 Gbps

特性

H9TCNNNBLDMMPR-NGM 具备极高的带宽性能,这是其最显著的特点之一。传统的GDDR5或DDR4内存带宽通常在几十GB/s的范围,而HBM2E内存的带宽可以达到数百GB/s,这使得它非常适合用于需要大量数据并行处理的应用,如GPU渲染、深度学习训练和高性能计算。其3D堆叠TSV技术不仅提高了带宽,还减小了内存模块的物理体积,降低了功耗。
  此外,H9TCNNNBLDMMPR-NGM 的封装尺寸非常紧凑,适合用于空间受限的设计。它的工作电压为1.2V,相比前代产品在能效方面有显著提升,有助于降低整体功耗,提高系统能效比。
  该芯片还支持多种刷新模式和低功耗模式,能够根据系统负载动态调整功耗,从而优化整体能效。这种灵活性使其能够适应不同的应用场景,从高端游戏显卡到数据中心AI加速器都有良好的适用性。

应用

H9TCNNNBLDMMPR-NGM 主要用于需要高带宽内存的高性能计算系统,包括但不限于:
  1. 高端图形处理器(GPU):如NVIDIA和AMD的旗舰级显卡,用于游戏、图形渲染和视频处理。
  2. AI加速器:用于深度学习训练和推理任务,如AI芯片和专用计算卡。
  3. 高性能计算(HPC)系统:用于科学计算、仿真和大数据处理。
  4. 网络交换设备:用于高速数据包处理和缓存。
  5. 专业工作站:用于CAD、3D建模、视频编辑等专业应用。
  由于其高带宽和低功耗特性,H9TCNNNBLDMMPR-NGM 在现代计算系统中扮演着至关重要的角色。

替代型号

H9TNNNBLDMMPR-NGM, H9TCNNNBLDMMPR-NEM

H9TCNNNBLDMMPR-NGM推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价