容量：4GB
　　内存类型：HBM2 SDRAM
　　数据速率：2.4Gbps
　　带宽：约307GB/s（基于8192位总线宽度）
　　电压：1.3V
　　封装类型：FCBGA
　　引脚数：1024
　　工作温度：0°C 至 +95°C
　　封装尺寸：78mm x 78mm

H9TCNNNBLDMMPR-NDM 具有多种先进的技术特性，使其在高性能应用中表现出色。
　　首先，该芯片采用了HBM2标准，支持高达2.4Gbps的数据传输速率，显著提高了内存带宽，满足GPU、AI加速器和高端计算设备对快速数据处理的需求。
　　其次，HBM2架构通过3D堆叠多个DRAM芯片，实现了更高的存储密度。每个HBM2堆栈通常包含4个或8个DRAM芯片，通过TSV（硅通孔）技术垂直连接，减少了信号路径长度，降低了功耗和延迟。
　　此外，该芯片使用低电压设计（1.3V），在提供高性能的同时保持较低的能耗，适用于对能效敏感的应用场景。
　　封装方面，H9TCNNNBLDMMPR-NDM 采用FCBGA（Flip Chip Ball Grid Array）封装，具有良好的电气性能和热管理能力，适合高密度主板布局。
　　其工作温度范围为0°C至95°C，确保在各种严苛环境中稳定运行，适用于服务器、工作站和高性能图形卡等设备。

H9TCNNNBLDMMPR-NDM 主要应用于需要高带宽内存的高性能计算平台，如高端图形处理器（GPU）、人工智能加速器（如TPU、AI协处理器）、网络交换设备、高性能计算（HPC）系统以及数据中心服务器。由于其卓越的带宽性能，该芯片也广泛用于虚拟现实（VR）、4K/8K视频渲染和大规模并行计算等场景。

H9TSNNNBJDMUR-NCM, H9TQNNNCTLMUBCR-NDM