容量：1GB
　　类型：DRAM
　　接口：DDR4
　　工作电压：1.2V
　　数据传输速率：2400Mbps
　　封装类型：BGA
　　封装尺寸：9mm x 13mm
　　温度范围：商业级（0°C至85°C）
　　内存架构：x16
　　刷新周期：64ms
　　访问时间：5.4ns

H9TCNNNBLDBMPR-NGM是一款面向高性能系统的DRAM芯片，具备高速数据传输能力，支持2400Mbps的数据速率，能够在高负载应用中提供稳定的数据带宽。该芯片采用了低电压设计（1.2V），有助于降低整体功耗并提高能效，适用于绿色节能设备的设计。
　　其封装形式为BGA（球栅阵列封装），具备良好的电气性能和散热能力，能够在复杂的电路环境中保持稳定运行。此外，该芯片的工作温度范围为0°C至85°C，适用于大多数商业级应用场景，包括服务器、存储设备和工业控制系统。
　　这款DRAM芯片采用了x16的内存架构，允许并行处理多个数据请求，从而提高系统的整体性能。其64ms的刷新周期确保了数据在断电前能够保持完整性，同时减少了刷新操作对系统性能的影响。5.4ns的访问时间使得该芯片能够在高频率环境下快速响应数据请求，适合对响应时间有严格要求的应用场景。

H9TCNNNBLDBMPR-NGM广泛应用于高性能计算系统、服务器、存储设备以及高端网络设备中。在服务器领域，该芯片能够提供足够的内存容量和高速数据访问能力，确保服务器在处理大量并发请求时保持稳定运行。在存储设备中，它可以作为高速缓存使用，提高数据读写效率。此外，该芯片还适用于嵌入式系统、工业控制设备以及通信设备，满足这些设备对高带宽和低功耗的需求。

H9TCNNNBLDBMPR-NGM的替代型号包括H9TCNNNBLDBMPR-NAA、H9TCNNNBLDBMPR-NAR以及H9TCNNNBLDBMPR-NAM。这些型号在功能和性能上具有相似性，可以根据具体应用需求进行选择。