容量：4GB（Gigabit）
　　电压：1.1V（标准工作电压）
　　封装类型：BGA（Ball Grid Array）
　　封装尺寸：根据具体封装型号而定
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　接口类型：LPDDR4
　　数据速率：最高可达4266 Mbps
　　组织结构：x16
　　封装规格：130-ball BGA
　　时钟频率：高达2133 MHz

H9TCNNN4KDMMUR-NDMR具有多项先进的性能与设计特性，确保其在高性能应用中的稳定性和能效。该芯片采用了LPDDR4技术，相比前代LPDDR3在带宽和功耗方面均有显著提升。其数据传输速率最高可达4266 Mbps，提供高达2133 MHz的时钟频率，适用于需要高速数据处理的应用场景。
　　此外，该DRAM芯片采用1.1V的低电压设计，有效降低了功耗，延长了移动设备的电池续航时间。同时，其封装形式为130-ball BGA，适用于高密度PCB布局，确保系统设计的紧凑性和稳定性。
　　H9TCNNN4KDMMUR-NDMR还支持多种低功耗模式，包括深度掉电模式（Deep Power Down）和自刷新模式（Self-Refresh Mode），进一步优化了设备在待机或轻负载状态下的能耗表现。其工作温度范围宽泛，从-40°C到+85°C，适应各种严苛环境下的运行需求。

H9TCNNN4KDMMUR-NDMR广泛应用于需要高性能和低功耗内存的电子设备中。典型应用包括旗舰级智能手机、平板电脑、智能穿戴设备、AR/VR头显、嵌入式计算模块（如AI加速卡）、车载信息娱乐系统（IVI）以及工业级嵌入式控制系统。此外，该DRAM芯片也适用于需要高速缓存和大容量内存的边缘计算设备、图像处理模块和高性能计算（HPC）平台。

H9TCNNN4KDMMUR-NDMR的替代型号包括H9TCNNN8GDMMUR-NDMR（8GB LPDDR4）、H9TCNNN4GDCMMR-NDMR（4GB LPDDR4，不同封装）以及美光（Micron）的DRAM芯片如MT58L256A2B4-046X（LPDDR4X 4GB）等。