时间：2025/11/12 21:33:06
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CL31B221KBCNNNC 是一款由三星电机（Samsung Electro-Mechanics）生产的多层陶瓷电容器（MLCC）。该器件属于通用型X7R介电质电容器系列，广泛应用于各类消费类电子、工业控制及通信设备中。其封装尺寸为0603（英制），即公制1608，适合高密度表面贴装工艺。该电容器的标称电容值为220pF，额定电压为50V，电容容差为±10%（K级），适用于需要稳定电容性能和较高温度适应性的电路环境。CL31B221KBCNNNC 采用环保无铅设计，符合RoHS指令要求，具备良好的焊接可靠性和长期稳定性。该型号常用于去耦、滤波、旁路、信号耦合及谐振电路等应用场景。由于其X7R材料特性，能够在-55°C至+125°C的宽温度范围内保持电容值变化不超过±15%，因此在环境温度波动较大的系统中表现优异。此外，该器件具有低等效串联电阻（ESR）和优良的高频响应特性，有助于提升电源完整性和信号质量。
产品类型：陶瓷电容器
技术类别：MLCC
电容值：220pF
容差：±10%
额定电压：50V
温度特性：X7R
工作温度范围：-55°C 至 +125°C
封装/外壳：0603（1608公制）
介质材料：X7R
直流偏压特性：典型值在50V下电容下降约15%-25%
绝缘电阻：≥4GΩ·μF
使用寿命：在额定电压和125°C条件下可稳定运行1000小时以上
安装方式：表面贴装（SMD）
端接类型：镍阻挡层/锡外涂层（Ni-Sn）
RoHS合规性：是
CL31B221KBCNNNC 采用先进的叠层陶瓷制造工艺，内部由数十层甚至上百层BaTiO3基陶瓷介质与内电极交替堆叠而成，每层厚度精确控制在微米级别，从而实现小型化与高可靠性兼顾的设计目标。
其X7R介电材料具有优异的温度稳定性，在-55°C到+125°C范围内电容变化不超过±15%，远优于Y5V等材料，适用于对电容稳定性要求较高的模拟电路和电源管理模块。
该器件具备良好的直流偏压特性，在施加接近额定电压的直流偏置时，电容值下降幅度相对可控，通常在50V偏压下保有原始电容的75%-85%，这对于去耦应用至关重要。
由于采用贵金属内电极（如Pd-Ag）或镍基层电极体系，CL31B221KBCNNNC 在高温高湿环境下表现出较强的抗迁移能力，有效防止离子迁移导致的短路失效。
其端电极为三层结构：铜底层、镍阻挡层和锡覆盖层，确保良好的可焊性、耐热冲击性和抗机械应力能力，适合回流焊工艺且不易产生裂纹。
该电容器还具备低等效串联电感（ESL）和低等效串联电阻（ESR），使其在高频去耦场景中能快速响应瞬态电流需求，显著降低电源噪声。
在PCB布局中，该器件可并联使用以提升总去耦能力，同时因其体积小，有利于节省布板空间，提高集成度。
此外，该型号经过严格的可靠性测试，包括高温存储、温度循环、高湿高偏压（HAST）等试验，确保在严苛环境中长期稳定运行。
该电容器广泛应用于多种电子系统中，尤其适合用于需要稳定电容值和良好温度特性的场合。
在电源管理电路中，常被用作开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和LDO稳压器的输入输出滤波元件，有效抑制电压纹波和高频噪声，提高电源纯净度。
在模拟信号链路中，可用于运算放大器、ADC/DAC的参考电压旁路，确保参考源的稳定性，减少信号失真。
在射频（RF）电路中，可用于阻抗匹配网络、滤波器和谐振回路，因其低损耗和稳定的电气特性而受到青睐。
在数字系统中，作为高速处理器、FPGA或MCU的去耦电容，布置于电源引脚附近，以提供局部储能并吸收高频瞬态电流，维持电源轨稳定。
工业控制设备、汽车电子（非引擎舱）、医疗仪器和通信模块中也大量使用此类器件，满足宽温工作和长期可靠性的需求。
此外，在消费类电子产品如智能手机、平板电脑、智能家居设备中，该电容器因小型化和高性能优势而成为主流选择之一。
其环保无铅设计也符合现代绿色制造趋势，适用于出口型产品和高端认证项目。
CL31B221KBHNNNE
