时间：2025/9/1 10:54:43
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H9TA4GH2GDMCPR4GM 是由SK Hynix（海力士）公司生产的一款高密度、高性能的DRAM（动态随机存取存储器）芯片。该芯片属于GDDR6（Graphics Double Data Rate 6）内存类型，主要用于高性能图形处理、显卡、计算加速设备以及需要大带宽内存的高端应用场合。这款DRAM芯片采用先进的制造工艺，提供高容量和高速数据传输能力。
内存类型：GDDR6
容量：8GB
数据速率：16Gbps
电压：1.35V
封装类型：FBGA
位宽：32位
工作温度：0°C至+85°C
接口标准：JESD253E
时钟频率：8GHz
H9TA4GH2GDMCPR4GM 的主要特性包括：16Gbps的超高数据传输速率，支持高带宽应用场景，如4K/8K图形渲染、AI训练和推理、高性能计算等；采用先进的10nm级工艺技术，有效降低功耗；具备优异的热管理和信号完整性设计，确保在高频下的稳定性；支持多种刷新模式和低功耗模式，满足不同使用场景的功耗需求；此外，该芯片还支持ECC（错误校正码）功能，提升数据可靠性。
在封装方面，该芯片采用紧凑的FBGA封装形式，适合在空间受限的设备中使用。其32位数据宽度设计使其适用于多芯片并行架构，以扩展总带宽。此外，H9TA4GH2GDMCPR4GM 还支持多种预取机制和突发传输模式，优化内存访问效率。
H9TA4GH2GDMCPR4GM 主要应用于高性能显卡、图形工作站、AI加速卡、游戏主机、数据中心GPU、虚拟现实（VR）设备以及需要大量高速内存的嵌入式系统。由于其高带宽和低延迟特性，该芯片特别适合用于深度学习、实时渲染、大规模并行计算等对内存性能要求极高的场景。
H9TA4GH2GDMCPR4GM的替代型号包括H9TQ57ADFTACUR4C（SK Hynix出品，8GB GDDR6）、MT61K512M32A2HC-16J（美光出品，16Gbps GDDR6）以及K4N8G325EC-BCTD（三星出品，8GB GDDR6）。
