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H9TA1GH1GBMMVR-4GMR 发布时间 时间:2025/9/1 21:46:27 查看 阅读:7

H9TA1GH1GBMMVR-4GMR 是一款由SK Hynix(海力士)制造的DRAM芯片,属于高密度、低功耗的移动型DRAM产品,专为移动设备和嵌入式系统设计。该芯片的存储容量为1GB,采用LPDDR4(低功耗双倍数据速率第四代)技术,具有较高的数据传输速率和能效,适用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备等对功耗和空间有严格要求的应用场景。

参数

存储容量:1GB
  内存类型:LPDDR4 SDRAM
  封装类型:FBGA
  引脚数:124-pin
  电压:1.1V
  最大时钟频率:1600MHz
  数据速率:3200Mbps
  工作温度范围:-40°C至+85°C
  封装尺寸:8mm x 10mm

特性

H9TA1GH1GBMMVR-4GMR 的主要特性之一是其采用了先进的LPDDR4技术,使其在高速运行的同时保持较低的功耗,这对于依赖电池供电的移动设备至关重要。该芯片的1.1V低电压设计进一步提升了能效,有助于延长设备的电池续航时间。
  此外,H9TA1GH1GBMMVR-4GMR 采用124-pin FBGA(Fine-Pitch Ball Grid Array)封装,尺寸为8mm x 10mm,适用于高密度PCB布局,有助于节省主板空间,满足现代移动设备对轻薄化设计的需求。
  在性能方面,该DRAM芯片支持高达1600MHz的时钟频率和3200Mbps的数据速率,能够提供快速的数据访问能力,满足高性能处理器和图形处理器的数据缓存需求。同时,其工作温度范围为-40°C至+85°C,具备良好的热稳定性和环境适应性,适用于各种复杂的工作环境。
  该芯片还支持多种低功耗模式,包括自刷新(Self-Refresh)、深度掉电模式(Deep Power-Down)等,能够在设备休眠或低负载状态下显著降低功耗,进一步优化系统能效。

应用

H9TA1GH1GBMMVR-4GMR 广泛应用于各种移动和嵌入式设备中,尤其是对功耗、尺寸和性能有较高要求的产品。其主要应用场景包括智能手机、平板电脑、可穿戴设备、物联网(IoT)设备、车载信息娱乐系统(IVI)、便携式游戏设备等。
  在智能手机和平板电脑中,该DRAM芯片作为主内存使用,为操作系统、应用程序和多媒体内容提供高速缓存支持,确保设备运行流畅。在可穿戴设备和物联网设备中,其低功耗特性有助于延长电池续航时间,提升用户体验。此外,在车载信息娱乐系统中,H9TA1GH1GBMMVR-4GMR 可为车载导航、多媒体播放和人机交互界面提供稳定的内存支持。
  由于其紧凑的封装尺寸和优异的性能表现,该芯片也常用于嵌入式计算平台、工业控制系统和便携式医疗设备,满足高性能和小型化设计需求。

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