时间：2025/6/22 13:27:42
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AZ1045-04QU.R13F 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，广泛应用于开关电源、电机驱动和 DC-DC 转换器等领域。该器件采用先进的制造工艺，在保证高效率的同时，也具有较低的导通电阻和快速的开关特性。其封装形式为 QFN，能够提供出色的散热性能和空间节省优势。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：4.8A
导通电阻：4mΩ
栅极电荷：16nC
开关频率：最高支持 2MHz
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：QFN-16L（5x6mm）
AZ1045-04QU.R13F 的主要特性包括低导通电阻，这有助于减少功率损耗并提高整体系统效率。
其次，该芯片具备快速的开关速度，使其非常适合高频应用环境。
此外，其优化的热设计确保了在高功率密度场景下的可靠运行。
同时，该器件还具有较强的抗静电能力（ESD保护等级达到±4kV），提高了产品的鲁棒性。
最后，其紧凑的封装形式使得其易于集成到小型化电子设备中。
该芯片可广泛应用于消费电子、工业控制和汽车电子领域。
在消费电子中，它适用于笔记本适配器、手机充电器等产品中的功率转换部分。
在工业控制方面，这款 MOSFET 可用于伺服电机驱动、逆变器和不间断电源（UPS）。
对于汽车电子而言，它可用于电动助力转向系统（EPS）、电池管理系统（BMS）以及车载充电器等应用。
总之，由于其高效能和高可靠性，AZ1045-04QU.R13F 成为了许多电力电子系统的理想选择。
AZ1045-04QP.R13F, AZ1045-04QS.R13F
