H9TA1GH1GBMMVR-4GM 是由SK Hynix(海力士)生产的一款DRAM(动态随机存取存储器)芯片。该芯片是一款高容量、高性能的存储器元件,广泛用于需要高速数据处理的应用场景,例如计算机系统、嵌入式设备和网络设备等。这款DRAM芯片采用先进的封装技术和制造工艺,提供可靠的数据存储和读写性能。
产品类型:DRAM芯片
容量:1GB
封装类型:BGA
电压:1.35V/1.5V
工作温度:-40°C至+85°C
数据速率:1600Mbps
存储类型:DDR3 SDRAM
位宽:x16
H9TA1GH1GBMMVR-4GM 这款DRAM芯片具有多个突出特性。首先,它采用DDR3 SDRAM技术,能够在每个时钟周期传输两次数据,显著提高数据传输效率和整体系统性能。其1GB的存储容量可以满足中高端嵌入式系统和计算设备的内存需求。此外,该芯片支持1600Mbps的数据速率,提供快速的数据存取能力,适用于需要高带宽的场景。
其次,这款芯片的封装采用BGA(球栅阵列)技术,有助于降低信号干扰并提高封装密度,从而提升稳定性和可靠性。它的电压设计为1.35V/1.5V,支持低电压运行模式,从而有效降低功耗,适用于对能效要求较高的应用环境。
H9TA1GH1GBMMVR-4GM 被广泛应用于多种需要高性能内存的电子设备和系统中。首先,它常用于个人计算机和服务器内存模块,以增强系统的多任务处理能力和运行速度。其次,在嵌入式系统中,如工业自动化设备、智能家电和物联网设备,这款芯片能够提供稳定的内存支持,确保设备高效运行。
此外,H9TA1GH1GBMMVR-4GM 也适用于网络设备,如路由器和交换机,为数据传输和路由处理提供强大的内存支持。在汽车电子领域,该芯片可用于车载信息娱乐系统、导航设备和高级驾驶辅助系统(ADAS),确保在复杂环境下数据处理的稳定性和实时性。
H9TADGH2JDMCVR-4DM, H9TADGH2JAMCVR-4DM, H9TADGH2JAMCVR-4GM