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FDD6N40C 发布时间 时间:2025/8/25 6:31:30 查看 阅读:11

FDD6N40C 是一款由 Fairchild Semiconductor(飞兆半导体)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件广泛应用于电源管理、DC-DC 转换器、电机控制、电池充电器以及其他需要高效开关性能的场合。FDD6N40C 采用了先进的平面工艺技术,具有低导通电阻、高耐压能力和良好的热稳定性。其封装形式为 TO-252(也称为 DPAK),便于安装和散热。

参数

类型:N 沟道 MOSFET
  最大漏源电压(Vds):400V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  最大连续漏极电流(Id):6A
  导通电阻(Rds(on)):1.2Ω @ Vgs = 10V
  工作温度范围:-55°C ~ +150°C
  封装类型:TO-252(DPAK)
  功率耗散(Ptot):50W
  漏极电容(Coss):180pF(典型值)

特性

FDD6N40C 具有多个显著的电气和热性能优势。首先,其低导通电阻(Rds(on))确保了在导通状态下较低的功率损耗,从而提高了系统的整体效率。该器件的最大漏源电压为 400V,适用于中高压电源应用,如开关电源(SMPS)和离线电源适配器。
  其次,FDD6N40C 的封装形式为 TO-252,具备良好的散热能力,适合中等功率级别的应用。该封装还具有较低的热阻,有助于提高器件在高负载条件下的稳定性和可靠性。
  此外,该 MOSFET 的栅极驱动电压范围较宽,支持 10V 至 20V 的栅源电压,使得其可以与多种类型的驱动电路兼容。其内部结构优化,具备较低的寄生电容(Coss),有利于实现快速的开关操作,从而减少开关损耗。
  最后,FDD6N40C 在制造过程中采用了符合 RoHS 标准的材料,满足环保要求,适合在多种工业和消费类电子产品中使用。

应用

FDD6N40C 适用于多种功率电子系统,尤其是在需要中高压、中等电流控制的场合。其典型应用包括开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器、反激式变换器、正激式变换器、功率因数校正(PFC)电路、电机控制电路、电池充电器以及各种类型的负载开关控制。
  在开关电源设计中,FDD6N40C 可作为主功率开关,用于实现高效的能量转换。由于其高耐压能力和较低的导通损耗,该器件特别适合于离线式电源适配器和电源模块的设计。
  在电机控制应用中,该 MOSFET 可用于 H 桥电路中的上下桥臂开关,实现对直流电机或步进电机的速度和方向控制。此外,FDD6N40C 还可用于 LED 照明系统的电源驱动电路,提供稳定可靠的电流控制。
  在电池管理系统中,该器件可用于电池充放电回路的控制,确保电池在安全范围内工作。由于其良好的热性能和高可靠性,FDD6N40C 也常用于工业自动化设备、家用电器和汽车电子系统中的功率控制模块。

替代型号

FQP6N40C, IRF740, FDD8N40C, STP6NK40Z

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