时间：2025/9/2 5:46:45
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H9HP52ACPMMDAR-KMM 是由SK Hynix（海力士）公司生产的一种高密度、高性能的NAND闪存芯片。该芯片采用先进的制造工艺，具有较高的存储密度和稳定性，广泛应用于需要大容量存储的电子设备中，如智能手机、平板电脑、固态硬盘（SSD）以及嵌入式存储系统等。该芯片采用BGA封装技术，具备良好的电气性能和散热能力，能够在较宽的工作温度范围内稳定运行。
类型：NAND闪存
型号：H9HP52ACPMMDAR-KMM
容量：512Gb（64GB）
接口：ONFI 4.0 / Toggle Mode 2.0 可选
电压：1.8V / 3.3V
封装类型：BGA
引脚数：153-pin
工作温度：-25°C 至 +85°C
读取速度：最高可达 500MB/s
写入速度：最高可达 300MB/s
耐久性：支持3000次编程/擦除周期
纠错能力：支持ECC（错误校正码）功能
H9HP52ACPMMDAR-KMM 是一款高性能的NAND闪存芯片，采用了先进的制造工艺和先进的多层单元（MLC）或TLC（Triple-Level Cell）技术，提供更高的存储密度和更低的单位成本。该芯片支持ONFI 4.0和Toggle Mode 2.0两种高速接口协议，可以根据应用需求灵活选择，以实现最佳的数据传输性能。其高速读写能力使其非常适合用于需要快速数据存取的应用场景，如移动设备和嵌入式系统。
该芯片的封装采用153-pin BGA形式，具有良好的电气特性和热稳定性，能够在高温或低温环境下稳定运行。此外，H9HP52ACPMMDAR-KMM 还具备较强的抗干扰能力和数据保持能力，确保在长时间运行过程中数据的完整性和可靠性。其内置的ECC功能可以在数据读写过程中自动检测和纠正错误，提高系统的稳定性和数据安全性。
为了提高系统的兼容性和可扩展性，该芯片支持多种存储管理功能，包括坏块管理、磨损均衡和垃圾回收等。这些功能可以有效延长存储设备的使用寿命，并提高存储效率。
H9HP52ACPMMDAR-KMM 主要用于需要高容量、高速存储的应用场景。典型的应用包括智能手机、平板电脑、嵌入式系统、固态硬盘（SSD）、USB闪存盘、SD卡以及其他便携式电子设备。由于其高性能和高可靠性，该芯片也被广泛应用于工业控制、车载电子系统和消费类电子产品中。
在智能手机和平板电脑中，H9HP52ACPMMDAR-KMM 作为主存储器，用于存储操作系统、应用程序和用户数据，能够提供快速的数据访问速度和大容量的存储空间。在固态硬盘（SSD）中，该芯片可用于构建高性能的存储模块，满足高速数据读写和大容量存储的需求。在工业控制和车载电子系统中，该芯片因其宽温工作范围和高可靠性，能够适应恶劣的工作环境。
H9HQ55ACPMMDAR-KMM
H9HP52ACPMMDAC-KMM
H9HQ55ACPMMDAR-KMM
