容量：64GB
　　接口类型：ONFI 2.3 / Toggle Mode 2.0
　　封装类型：BGA
　　工作温度：0°C ~ 85°C
　　电源电压：2.7V ~ 3.6V
　　数据读取速度：最高可达400MB/s
　　数据写入速度：最高可达200MB/s
　　擦除速度：最大10ms
　　编程时间：最大300μs
　　擦除周期寿命：约3000次

H9HP26ACPMMDAR-KMM NAND闪存芯片具备多项先进的技术特性，首先，其64GB的存储容量可以满足现代电子设备对大容量存储的需求。该芯片支持ONFI 2.3 和 Toggle Mode 2.0两种高速接口协议，使其在不同的主控芯片环境下都能实现高效的数据传输。ONFI（Open NAND Flash Interface）协议提供了标准化的接口，简化了系统设计；而Toggle Mode则通过异步时钟控制实现了更高的读写性能。
　　该芯片采用了先进的工艺制造，确保在高密度存储的同时具备良好的稳定性与耐久性。其BGA封装设计不仅提高了封装密度，还增强了电气性能和散热能力，适合在复杂的工作环境下使用。
　　此外，H9HP26ACPMMDAR-KMM支持较宽的电源电压范围（2.7V至3.6V），适应不同的供电条件，具备良好的兼容性。其工作温度范围为0°C至85°C，适用于大多数工业和消费类应用场景。
　　在性能方面，该芯片的最高数据读取速度可达400MB/s，写入速度最高为200MB/s，能够满足高速数据存储需求。擦除和编程时间也得到了优化，分别达到了10ms和300μs以内，显著提高了存储效率。
　　可靠性方面，H9HP26ACPMMDAR-KMM具有约3000次的擦除周期寿命，能够在长期使用中保持稳定性能。同时，该芯片内置错误校正机制，支持ECC（错误纠正码）功能，确保数据存储的准确性和完整性。

H9HP26ACPMMDAR-KMM NAND闪存芯片主要应用于对存储容量和性能有较高要求的电子设备，如智能手机、平板电脑、嵌入式系统、固态硬盘（SSD）、工业控制设备、车载导航系统、安防监控设备等。其高速读写能力和高存储密度使其成为现代消费类电子产品和工业设备的理想选择。在智能手机和平板电脑中，该芯片可作为主存储器，用于存储操作系统、应用程序和用户数据。在固态硬盘中，该芯片可作为存储介质，提供快速的数据访问和较高的耐用性。在工业控制系统和车载设备中，其稳定性和可靠性确保了在复杂环境下的正常运行。

H9HQ16ACPMMDAR-KMM, H9HP53ACPMMDAR-KMM, H9HP27ADPMMDAR-KMM