时间：2025/5/10 14:43:34
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H9HCNNNFBMALPR-NEE 是一款由 SK 海力士（SK Hynix）生产的 NAND 闪存芯片，主要应用于嵌入式系统、消费类电子设备和工业存储解决方案中。该型号属于 eMCP（封装中的嵌入式多芯片封装）系列，内部集成了 NAND 闪存和移动 DRAM，以提供高密度存储和快速数据处理能力。它采用 BGA 封装形式，具有小型化、高性能的特点，适合需要大容量存储和低功耗的便携式设备。
类型：NAND 闪存
容量：32GB
接口：eMMC 5.1
工作电压：1.8V/3.3V
封装形式：FBGA
I/O 引脚数：169
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
数据传输速率：最高 400MB/s
擦写寿命：3000 次
H9HCNNNFBMALPR-NEE 的设计结合了高性能与可靠性，其特点如下：
1. 高密度集成：将 NAND 闪存与 DRAM 组合在一个封装内，减少了 PCB 占用空间。
2. 快速数据传输：支持 eMMC 5.1 标准，具备高效的读写性能。
3. 低功耗设计：优化的电路结构使其在运行和待机模式下均保持较低功耗。
4. 广泛的工作温度范围：能够适应各种环境条件下的应用需求。
5. 稳定性高：经过严格测试，确保在长时间使用后仍能保持数据完整性。
H9HCNNNFBMALPR-NEE 主要应用于以下领域：
1. 智能手机和平板电脑：为移动设备提供大容量存储和快速启动功能。
2. 可穿戴设备：适用于对体积和功耗要求较高的可穿戴产品。
3. 工业控制：用于工业自动化设备的数据记录与存储。
4. 医疗设备：满足医疗仪器对稳定性和可靠性的严格要求。
5. 车载娱乐系统：支持高清视频播放及导航地图存储等复杂任务。
H9TQNNNFBMALPBR-NEE
H9HPAQNFBMALPBR-NEE
H9HPAJNFBMALPBR-NEE
