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IRL630SPBF 发布时间 时间:2025/5/27 16:33:33 查看 阅读:12

IRL630SPBF是英飞凌(Infineon)推出的一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件采用TO-252 (DPAK) 封装,适用于多种功率转换和开关应用。由于其低导通电阻和出色的开关性能,IRL630SPBF广泛应用于消费电子、工业控制以及汽车电子领域。
  这款MOSFET具有较低的导通电阻和良好的热性能,适合于需要高效能和高可靠性的电路设计。此外,它的栅极驱动电压范围较宽,使其易于与各种逻辑电平兼容。

参数

最大漏源电压:55V
  连续漏极电流:39A
  导通电阻(典型值,Vgs=10V):1.7mΩ
  栅极电荷:41nC
  总电容(输入电容):1880pF
  功耗:133W
  工作温度范围:-55°C to +175°C

特性

1. 极低的导通电阻Rds(on),可有效减少功率损耗。
  2. 高速开关能力,有助于提高系统效率。
  3. 较宽的工作温度范围,适应性强,适用于苛刻环境下的应用。
  4. 兼容多种逻辑电平驱动信号,简化了电路设计。
  5. 热稳定性好,长期使用不易发生性能退化。
  6. 符合RoHS标准,环保且符合国际法规要求。

应用

1. 开关电源(SMPS)中的同步整流和功率转换。
  2. 电机驱动器中的H桥和半桥电路。
  3. DC-DC转换器的高频开关元件。
  4. 电池管理系统的充放电控制。
  5. 工业自动化设备中的负载开关。
  6. 汽车电子领域的电源管理和引擎控制单元(ECU)。

替代型号

IRL630G, IRL630TRPBF, FDP5500

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IRL630SPBF参数

  • 数据列表IRL630SPBF
  • 标准包装1,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)200V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C9A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C400 毫欧 @ 5.4A,5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs40nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1100pF @ 25V
  • 功率 - 最大3.1W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商设备封装D2PAK
  • 包装管件
  • 其它名称*IRL630SPBF