IRL630SPBF是英飞凌(Infineon)推出的一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件采用TO-252 (DPAK) 封装,适用于多种功率转换和开关应用。由于其低导通电阻和出色的开关性能,IRL630SPBF广泛应用于消费电子、工业控制以及汽车电子领域。
这款MOSFET具有较低的导通电阻和良好的热性能,适合于需要高效能和高可靠性的电路设计。此外,它的栅极驱动电压范围较宽,使其易于与各种逻辑电平兼容。
最大漏源电压:55V
连续漏极电流:39A
导通电阻(典型值,Vgs=10V):1.7mΩ
栅极电荷:41nC
总电容(输入电容):1880pF
功耗:133W
工作温度范围:-55°C to +175°C
1. 极低的导通电阻Rds(on),可有效减少功率损耗。
2. 高速开关能力,有助于提高系统效率。
3. 较宽的工作温度范围,适应性强,适用于苛刻环境下的应用。
4. 兼容多种逻辑电平驱动信号,简化了电路设计。
5. 热稳定性好,长期使用不易发生性能退化。
6. 符合RoHS标准,环保且符合国际法规要求。
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流和功率转换。
2. 电机驱动器中的H桥和半桥电路。
3. DC-DC转换器的高频开关元件。
4. 电池管理系统的充放电控制。
5. 工业自动化设备中的负载开关。
6. 汽车电子领域的电源管理和引擎控制单元(ECU)。
IRL630G, IRL630TRPBF, FDP5500