类型：DRAM
　　容量：2GB
　　组织结构：x16
　　速度等级：1666MHz
　　工作电压：1.5V
　　封装类型：FBGA
　　引脚数：96
　　时钟频率：833MHz
　　CAS延迟：CL11
　　数据速率：1666Mbps
　　温度范围：商业级（0°C 至 85°C）

H9HCNNNFAMALTR-NME 具有多个显著的技术特性，使其在高性能内存应用中表现出色。首先，该芯片采用了x16的组织结构，这意味着它每次可以传输16位数据，提高了数据吞吐能力，同时也有助于减少PCB布局的复杂性。其1666Mbps的数据速率确保了快速的数据访问和处理能力，适用于需要高速缓存的系统。此外，该DRAM支持CL11（CAS延迟）模式，能够在保持稳定性能的同时提供较低的延迟，从而提高系统的响应速度。
　　该芯片的工作电压为1.5V，这比传统1.8V或2.5V的DRAM更具能效优势。较低的电压有助于降低功耗，延长移动设备的电池寿命，并减少热量的产生，适用于对功耗敏感的设计。封装形式为96引脚的FBGA（Fine-Pitch Ball Grid Array），这种封装方式具有良好的电气性能和热管理能力，适合高密度电路板设计，并提高了芯片的可靠性和耐用性。
　　H9HCNNNFAMALTR-NME 还具备良好的兼容性和稳定性，能够适应多种主控平台和内存控制器，适用于多种嵌入式系统和移动设备。它的温度范围为商业级（0°C 至 85°C），能够在大多数常规工作环境中稳定运行，满足大多数工业和消费类应用的需求。

由于其高性能和低功耗的特性，H9HCNNNFAMALTR-NME 通常被用于各种高端智能手机、平板电脑、智能穿戴设备以及嵌入式计算系统。在这些应用中，该DRAM芯片能够为操作系统、应用程序和图形处理提供快速、稳定的内存支持，确保设备的流畅运行。此外，它也可用于工业控制设备、网络通信设备以及车载信息娱乐系统等对内存性能要求较高的场景。在服务器和高性能计算设备中，该芯片也可作为辅助缓存或扩展内存使用，提高系统的整体运算效率。

H9HPNNN8JAMUBCR-NME, H9TNNN88GAMUBCR, H9HQNNN8GAMUBCR