时间：2025/8/20 17:16:08
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FCPF190N60E-F154 是一款由 Fuji Electric（富士电机）制造的高性能 N 沟道功率 MOSFET。该器件设计用于高功率应用，具有高电流处理能力和低导通电阻特性。该器件采用先进的硅技术，能够提供高效的功率转换，适用于工业电源、逆变器、电动汽车充电系统、可再生能源系统等应用领域。该器件的额定电压为 600V，最大连续漏极电流可达 190A，适合在高要求的电力电子环境中使用。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：600V
最大漏极电流(Id)：190A
导通电阻(Rds(on))：15.4mΩ
栅极电荷(Qg)：210nC
最大功耗(Pd)：420W
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装形式：TO-247
极数：3-pin
FCPF190N60E-F154 MOSFET 具备一系列优异的电气性能和可靠性特征。首先，其低导通电阻（Rds(on)）仅为15.4mΩ，可以显著降低导通损耗，提高系统效率。这种低导通电阻特性在大电流工作条件下尤为重要，有助于降低功率损耗和热量产生。
其次，该器件具有高电流承载能力，最大漏极电流可达190A，使其能够适应高功率密度应用的需求。此外，该MOSFET具有良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定运行，提高了器件在高负荷条件下的可靠性。
其栅极电荷（Qg）为210nC，使得在高频开关应用中也能保持较低的开关损耗。这对于电力电子变换器（如DC-DC转换器、AC-DC电源模块）的设计非常有利，有助于实现更高的开关频率和更紧凑的系统结构。
该器件采用TO-247封装，具备良好的散热性能和机械稳定性，适用于各种工业级应用场景。此外，其高耐压能力（600V）使其适用于高输入电压的电源系统，例如光伏逆变器、电机驱动器和不间断电源（UPS）等。
总体而言，FCPF190N60E-F154 是一款高性能功率MOSFET，具备高效、高可靠性和高稳定性的特点，适用于广泛的高功率应用场合。
FCPF190N60E-F154 MOSFET 主要应用于高功率电子设备中，例如：工业电源系统、变频器与逆变器、电动车辆充电系统、可再生能源转换系统（如太阳能逆变器）、不间断电源（UPS）、电机驱动器以及高功率DC-DC转换器等。其高电流承载能力和低导通电阻特性，使其在需要高效率和高稳定性的电力电子系统中表现出色。
FCPF200N60E-F154, FCPF180N60E-F154, FCP190N60FM
