容量：2GB/4GB/8GB
　　内存类型：HBM2（High Bandwidth Memory 2）
　　封装方式：PoP（Package on Package）
　　数据速率：2.4Gbps/2.8Gbps/3.2Gbps（根据不同版本）
　　电源电压：1.2V
　　工作温度：0°C 至 +85°C 或 -40°C 至 +85°C（工业级）
　　接口：宽总线接口（1024位）
　　带宽：高达410GB/s（根据配置）
　　封装尺寸：根据具体应用可定制

H9HCNNNDAUMLHR-NMO 的核心特性之一是其极高的内存带宽。与传统的GDDR或DDR内存相比，HBM2通过堆叠多个DRAM芯片并与GPU或AI芯片在同一封装内紧密集成，显著降低了内存访问延迟并提高了带宽效率。
　　该芯片采用低功耗设计，工作电压为1.2V，相比早期的HBM产品功耗更低，适用于高性能但功耗受限的系统。此外，H9HCNNNDAUMLHR-NMO 具备较高的热稳定性，能够在工业级温度范围内稳定运行，适用于严苛的工作环境。
　　该芯片还支持多种刷新模式和错误校正机制，提高了数据的可靠性和系统稳定性。其堆叠结构和宽总线接口使得数据传输速度大幅提升，适用于AI训练、高性能计算、图形渲染等对带宽敏感的应用场景。

H9HCNNNDAUMLHR-NMO 广泛应用于需要极高内存带宽和低延迟的领域，如高端图形处理单元（GPU）、AI加速卡、数据中心服务器、网络交换设备以及高性能计算系统。它特别适合用于深度学习训练、实时数据分析、科学计算、图像处理等对内存带宽要求极高的应用场景。

H9HCRNNDBUMKAR-NMO, H9HCNNNCAUMHDR-NMO, H9HCNNNDAUMUDR-NMO