时间：2025/9/2 1:09:27
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H9HCNNNCRUMLPR-NME 是一种由SK Hynix（海力士）公司制造的DRAM（动态随机存取存储器）芯片。这款DRAM芯片通常用于需要高性能和大容量存储的应用场景，例如计算机、服务器、网络设备和其他电子设备。H9HCNNNCRUMLPR-NME 属于LPDDR4（低功耗双倍数据速率第四代）内存标准，具有较高的数据传输速率和较低的功耗，适合用于移动设备和嵌入式系统。
类型：DRAM
内存标准：LPDDR4
容量：2GB
数据速率：3200Mbps
电压：1.1V
封装类型：FBGA
引脚数：134
工作温度：-40°C至85°C
H9HCNNNCRUMLPR-NME 是一款高性能、低功耗的LPDDR4 DRAM芯片，具有较高的数据传输速率和较低的工作电压，适用于需要高效能和节能的应用场景。其3200Mbps的数据速率能够提供快速的数据访问能力，而1.1V的低电压设计则有助于降低功耗，延长设备的电池寿命。
这款DRAM芯片采用FBGA（细间距球栅阵列）封装技术，具有良好的电气性能和热管理能力，能够在各种工作条件下保持稳定运行。此外，H9HCNNNCRUMLPR-NME 的工作温度范围为-40°C至85°C，适用于多种环境条件。
该芯片的高集成度和可靠性使其成为移动设备、嵌入式系统和其他高性能计算设备的理想选择。其2GB的存储容量能够满足大多数应用对内存的需求，同时支持多任务处理和高效的数据管理。
H9HCNNNCRUMLPR-NME 主要应用于需要高性能和低功耗存储的设备，如智能手机、平板电脑、笔记本电脑、嵌入式系统以及网络设备等。它也可以用于工业控制设备、汽车电子系统和消费类电子产品。
H9HP53ALVUMDAR-NME, H9HO52ACPMUDAR-NME
