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H9HCNNNCRUMLPR-NME 发布时间 时间:2025/9/2 1:09:27 查看 阅读:7

H9HCNNNCRUMLPR-NME 是一种由SK Hynix(海力士)公司制造的DRAM(动态随机存取存储器)芯片。这款DRAM芯片通常用于需要高性能和大容量存储的应用场景,例如计算机、服务器、网络设备和其他电子设备。H9HCNNNCRUMLPR-NME 属于LPDDR4(低功耗双倍数据速率第四代)内存标准,具有较高的数据传输速率和较低的功耗,适合用于移动设备和嵌入式系统。

参数

类型:DRAM
  内存标准:LPDDR4
  容量:2GB
  数据速率:3200Mbps
  电压:1.1V
  封装类型:FBGA
  引脚数:134
  工作温度:-40°C至85°C

特性

H9HCNNNCRUMLPR-NME 是一款高性能、低功耗的LPDDR4 DRAM芯片,具有较高的数据传输速率和较低的工作电压,适用于需要高效能和节能的应用场景。其3200Mbps的数据速率能够提供快速的数据访问能力,而1.1V的低电压设计则有助于降低功耗,延长设备的电池寿命。
  这款DRAM芯片采用FBGA(细间距球栅阵列)封装技术,具有良好的电气性能和热管理能力,能够在各种工作条件下保持稳定运行。此外,H9HCNNNCRUMLPR-NME 的工作温度范围为-40°C至85°C,适用于多种环境条件。
  该芯片的高集成度和可靠性使其成为移动设备、嵌入式系统和其他高性能计算设备的理想选择。其2GB的存储容量能够满足大多数应用对内存的需求,同时支持多任务处理和高效的数据管理。

应用

H9HCNNNCRUMLPR-NME 主要应用于需要高性能和低功耗存储的设备,如智能手机、平板电脑、笔记本电脑、嵌入式系统以及网络设备等。它也可以用于工业控制设备、汽车电子系统和消费类电子产品。

替代型号

H9HP53ALVUMDAR-NME, H9HO52ACPMUDAR-NME

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