容量：8Gb
　　组织结构：x16
　　电压：1.1V（核心电压VDD），1.8V（I/O电压VDDQ）
　　频率：最高可达2133MHz
　　数据速率：4266Mbps
　　封装类型：FBGA
　　引脚数：122
　　温度范围：-40°C至+85°C

H9HCNNNCRMALPR-NEE LPDDR4X SDRAM芯片具备多项先进的技术特性，以满足现代移动设备和嵌入式系统对高性能和低功耗的双重需求。
　　首先，该芯片采用了LPDDR4X标准，相较于前代LPDDR4，进一步降低了工作电压，核心电压（VDD）为1.1V，I/O电压（VDDQ）为1.8V，从而有效减少了功耗，延长了设备的电池续航时间。同时，该芯片支持高达4266Mbps的数据速率，能够在高频运行下提供稳定的性能表现，适用于处理高清图形、多任务处理以及大型应用的场景。
　　其次，H9HCNNNCRMALPR-NEE采用x16位宽架构，提供8Gb的存储容量，满足中高端移动设备对内存容量的需求。其FBGA（Fine-Pitch Ball Grid Array）封装形式具有良好的电气性能和散热能力，适合高密度主板布局，提升了设备的整体稳定性和可靠性。
　　此外，该芯片还支持多种节能模式，如深度掉电模式（Deep Power Down）、自刷新模式（Self-Refresh）等，可在设备处于闲置状态时大幅降低功耗。其温度范围支持-40°C至+85°C，适用于各种复杂环境下的稳定运行，提升了产品的适应性和耐用性。

H9HCNNNCRMALPR-NEE LPDDR4X SDRAM广泛应用于各种高性能移动设备和嵌入式系统中。例如，该芯片常用于高端智能手机和平板电脑中，为多任务处理、高清视频播放、大型游戏运行等高负载应用提供充足的内存支持；同时，它也适用于便携式计算设备、智能穿戴设备以及工业控制设备，满足这些设备对高性能和低功耗的双重需求。由于其出色的稳定性和宽温工作范围，该芯片也适用于车载电子系统、安防监控设备以及边缘计算设备等对环境适应性要求较高的应用场景。

H9HCNNNCRRALPR-NEE, H9HPNNNCRMMUJBR-N2E, H9HQNNNEDPTDQPR