时间：2025/8/21 1:59:48
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6024ST 是一款由STMicroelectronics（意法半导体）生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率应用中的开关操作。这款MOSFET以其高效率和可靠性而著称，适用于电源管理、电机控制、DC-DC转换器以及电池管理系统等多种应用场景。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：24V
漏极电流（Id）：连续240A（在25°C时）
栅极-源极电压（Vgs）：±20V
功耗（Ptot）：160W
导通电阻（Rds(on)）：典型值为0.0042Ω（在Vgs=10V时）
封装类型：TO-220
工作温度范围：-55°C至175°C
6024ST的主要特性包括极低的导通电阻，这有助于减少功率损耗并提高整体效率。
该器件具有较高的电流处理能力，能够在高负载条件下稳定运行。
其高栅极-源极电压耐受性允许在更广泛的应用环境中使用，而不会损坏器件。
此外，6024ST的封装设计（TO-220）使其易于安装并具备良好的热管理性能，有助于快速散热。
该MOSFET还具备出色的雪崩击穿耐受能力，能够在非正常工作条件下提供额外的保护。
由于其卓越的性能指标和可靠性，6024ST在工业和汽车应用中得到了广泛认可。
6024ST MOSFET广泛应用于多种高功率电子系统中，包括但不限于：DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器、电源管理系统、电池充电器、工业自动化设备以及电动汽车的电力电子模块。
其高效率和可靠性使其成为需要高性能功率开关的理想选择。
IRF3205, IRL3713, FDP3632
