时间：2025/9/2 7:01:52
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H9HCNNNBPUMLHR-NME是一款由SK海力士（SK Hynix）生产的高密度、高性能的DRAM（动态随机存取存储器）芯片。这款DRAM芯片采用先进的制造工艺，具有高容量、低功耗和高速数据传输的特点，广泛应用于服务器、网络设备、工业控制以及高端消费类电子产品中。该型号的封装形式为BGA（球栅阵列封装），适合高密度主板设计，并具备良好的散热性能。
容量：2Gb（256MB）
类型：DRAM
封装类型：BGA
电压：1.35V（低电压设计，支持节能模式）
工作温度范围：-40°C至+85°C（工业级宽温范围）
数据速率：最高支持1600Mbps
接口类型：x16
时钟频率：800MHz
封装尺寸：根据具体BGA封装规格
H9HCNNNBPUMLHR-NME是一款面向高性能计算和低功耗应用场景的DRAM芯片。该芯片基于SK海力士先进的DRAM制造技术，采用了低电压设计（1.35V），能够在保持高速数据传输的同时有效降低功耗，适用于对能效要求较高的服务器和嵌入式系统。该芯片支持多种节能模式，包括自刷新（Self-Refresh）和深度掉电模式（Deep Power-Down），可在系统空闲时进一步降低能耗。
此外，H9HCNNNBPUMLHR-NME采用x16位宽接口，数据速率最高可达1600Mbps，满足高速数据存取需求。其BGA封装形式不仅提高了封装密度，还增强了信号完整性和热稳定性，适用于复杂、高密度PCB布局环境。该芯片的工作温度范围覆盖-40°C至+85°C，适用于工业级应用场景，能够在恶劣环境下稳定运行。
在可靠性方面，该DRAM芯片支持错误校正码（ECC）功能，有助于提升系统稳定性和数据完整性，特别适合用于服务器、网络设备和关键任务控制系统。同时，该芯片支持多种刷新模式和自适应延迟调整功能，确保在高负载和高频操作下的稳定运行。
H9HCNNNBPUMLHR-NME广泛应用于高性能计算设备、服务器、网络交换机、工业自动化控制系统、高端嵌入式设备以及通信基础设施。由于其低功耗、高速度和高可靠性的特点，特别适用于对系统稳定性和能效有较高要求的应用场景。该芯片也可用于图形处理单元（GPU）、存储控制器、网络处理器等高性能模块。
H9HCNNNBPUMLHR-NEE, H9HCNNNBPUMLAR-NME, H9HCNNNBPUMLHR-NCE
