时间：2025/5/10 11:09:58
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H9HCNNNBKMMLHR-NME 是一款由海力士（SK Hynix）生产的 NAND Flash 存储芯片，主要用于数据存储应用。该芯片采用 MLC（多层单元）技术，具有较高的存储密度和可靠性。其封装形式为 BGA，适用于需要高容量存储的设备，如固态硬盘（SSD）、嵌入式系统、监控录像设备等。
该型号中的具体参数可能因不同的批次或版本而有所差异，因此在实际应用中需参考最新的官方数据手册。
容量：64GB
接口：Toggle Mode 2.0
工作电压：1.8V
封装形式：BGA
引脚数：169
存储单元类型：MLC
数据保留时间：10年
擦写寿命：3000次
H9HCNNNBKMMLHR-NME 具有以下主要特性：
1. 高存储密度：通过 MLC 技术实现了 64GB 的大容量存储。
2. 快速传输速度：支持 Toggle Mode 2.0 接口，能够提供高达 400MT/s 的传输速率。
3. 可靠性：具备 ECC（错误校正码）功能，可有效提升数据的完整性与可靠性。
4. 小型化设计：BGA 封装形式使其适合空间受限的应用场景。
5. 广泛的工作温度范围：可在 -40°C 至 +85°C 的工业级温度范围内稳定工作。
6. 数据保护机制：内置磨损均衡算法和坏块管理功能，延长了芯片的使用寿命。
H9HCNNNBKMMLHR-NME 芯片广泛应用于以下领域：
1. 固态硬盘（SSD）：作为主存储介质，用于消费级和企业级 SSD 中。
2. 嵌入式系统：如工业控制设备、医疗设备和车载系统等，提供可靠的存储解决方案。
3. 视频监控：用于 DVR 和 NVR 等设备中，存储高清视频数据。
4. 智能家居：为智能设备提供非易失性存储功能。
5. 物联网设备：支持低功耗和高效数据存储的需求。
H9HCNNNBKMMMLR, H9HCNNNBKMMLGR
