容量：4GB
　　电压：1.1V / 1.8V
　　封装类型：FBGA
　　封装尺寸：130-ball
　　温度范围：-40°C至+85°C
　　数据速率：3200Mbps
　　组织结构：x16
　　工艺制程：约1x nm
　　时钟频率：1600MHz

H9HCNNN4KUMLHR-NLO具备多项先进的技术特性，以满足现代高性能系统的需求。首先，该芯片采用LPDDR4架构，具有更高的数据传输速率和更低的功耗，适合对能效敏感的设备应用。其数据速率达到3200Mbps，显著提升了内存带宽，从而提高了系统整体性能。
　　其次，该芯片支持1.1V和1.8V双电压供电模式，其中核心电压为1.1V，I/O电压为1.8V，这种设计有效降低了运行功耗，延长了电池续航时间，尤其适用于智能手机、平板电脑和便携式工业设备。
　　此外，H9HCNNN4KUMLHR-NLO采用130-ball FBGA封装，具备良好的散热性能和较高的封装密度，能够在有限的PCB空间内提供大容量内存支持。其工作温度范围为-40°C至+85°C，适用于各种工业环境，包括高温或低温应用场景。
　　该芯片还具备先进的自刷新（Self-Refresh）功能和温度补偿自刷新（Temperature Compensated Self-Refresh, TCSR）功能，能够在设备处于低功耗模式时有效维持数据完整性，同时减少功耗。它还支持多种低功耗模式，如预充电电源下降（Precharge Power Down）和深度电源下降（Deep Power Down），以进一步优化能效。

H9HCNNN4KUMLHR-NLO广泛应用于对内存性能和能效有较高要求的电子设备中。其主要应用领域包括高端智能手机、平板电脑、嵌入式系统、工业控制设备、网络路由器和交换机等。由于其高速度、低功耗和高稳定性，该芯片也常用于车载信息娱乐系统（IVI）、先进驾驶辅助系统（ADAS）以及物联网（IoT）设备中。
　　在移动设备中，该DRAM芯片能够为多任务处理、高清视频播放、游戏运行和AI计算提供强有力的支持。在工业控制领域，其宽温范围和高可靠性确保设备在恶劣环境中稳定运行。在通信设备中，H9HCNNN4KUMLHR-NLO可以为高速数据交换和缓存处理提供充足的内存资源，提高设备的整体性能和响应速度。

H9HKNNNCTUMUBA-NLO, H9HPNNN8ASMLR-NLO, H9HO4NNAFTUMUBA-NLO