存储类型：DRAM
　　容量：4GB
　　数据速率：5000 Mbps
　　接口类型：GDDR5
　　电压：1.5V（典型值）
　　封装类型：FBGA
　　引脚数：170
　　工作温度范围：-40°C至85°C

H9G4750M10P 的核心特性之一是其高速数据传输能力，支持高达5000 Mbps的数据速率，这使其适用于高性能显卡和嵌入式系统。该芯片采用GDDR5接口，相较于传统DDR内存，具有更高的带宽和更低的延迟。
　　此外，H9G4750M10P 使用低电压设计（1.5V），有助于降低功耗和发热，提升设备的整体能效。这在移动设备或高密度服务器环境中尤为重要。
　　其封装形式为170引脚的FBGA（Fine-Pitch Ball Grid Array），不仅提供了良好的电气性能，还具备较小的封装尺寸，便于在空间受限的设计中进行布局。
　　芯片支持宽温度范围（-40°C至85°C），确保其在极端工作条件下仍能保持稳定运行，适用于工业级和汽车电子等严苛环境。

H9G4750M10P 被广泛应用于高性能图形处理单元（GPU）、游戏机、高端PC显卡、数据中心加速卡以及网络基础设施设备中。在这些应用中，它提供了快速的数据存取能力，能够有效支持复杂计算任务和实时图形渲染需求。
　　此外，该芯片也适用于工业控制、医疗成像设备、智能监控系统等需要高速内存的嵌入式系统。其宽温范围和高可靠性使其成为汽车电子和航空航天领域中的理想选择。
　　由于其低功耗特性和小尺寸封装，H9G4750M10P 也被用于便携式计算设备和边缘计算设备中，以实现高效的数据处理和存储。

H9G4750M10P 可以被 H9G4750M10C、H9G4750M10P-5000、H9G4750M10P-4500 等型号替代，具体选择需根据实际应用需求如速率、功耗和封装形式进行匹配。