时间：2025/9/1 12:02:18
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H5TC4G83AFR-G7I 是由SK hynix（海力士）公司生产的一款DRAM（动态随机存取存储器）芯片，广泛应用于计算机、嵌入式系统、网络设备和工业控制等领域。这款芯片采用的是高带宽内存技术，支持高速数据传输。其封装形式为FBGA（Fine Pitch Ball Grid Array），适合对空间要求较高的设计。该型号的内存容量为4Gbit，数据总线宽度为8位，并且支持自动刷新和自刷新功能，能够有效降低功耗。
容量：4Gbit
总线宽度：8位
封装类型：FBGA
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
电源电压：1.7V - 3.3V
数据传输速率：800Mbps
刷新模式：自动刷新/自刷新
H5TC4G83AFR-G7I DRAM芯片具有多项高性能特性，首先是其高速数据传输能力，支持高达800Mbps的数据速率，适用于对性能要求较高的系统。该芯片采用低功耗设计，支持自动刷新和自刷新功能，能够在不牺牲性能的前提下有效降低功耗，适用于对功耗敏感的应用场景。此外，H5TC4G83AFR-G7I采用FBGA封装，具有良好的热性能和电气性能，能够在高温和复杂环境下稳定运行。该芯片的工作温度范围为-40°C至+85°C，适用于工业级应用环境。此外，该芯片的电源电压范围较宽，支持1.7V至3.3V的电源供电，使其能够灵活适配不同的系统设计需求。
H5TC4G83AFR-G7I广泛应用于多个领域，包括工业控制、自动化设备、嵌入式系统、网络设备、路由器、交换机、智能终端设备以及消费类电子产品。由于其高性能和低功耗特性，该芯片特别适用于需要高速数据处理和稳定运行的场景，例如在通信设备中用于数据缓存，在工业控制系统中用于实时数据存储等。此外，该芯片也可用于测试设备、测量仪器以及高端家电等对存储性能有较高要求的产品。
H5TC4G63AFR-G7C, H5TC4G83AFR-G7N, H5TC4G63AFR-G7U
