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H9DPAGA3JJMCGR-KEM 发布时间 时间:2025/9/2 6:32:08 查看 阅读:5

H9DPAGA3JJMCGR-KEM 是由SK Hynix(海力士)生产的一款高密度、低功耗的DRAM(动态随机存取存储器)芯片。该型号属于LPDDR4(低功耗双倍数据速率第四代)系列,专为高性能、低功耗需求的应用设计,例如智能手机、平板电脑、嵌入式系统以及其他便携式电子设备。这款DRAM芯片采用了先进的制造工艺,具备较高的存储密度和稳定性,能够在较宽的温度范围内稳定运行。

参数

类型:DRAM
  子类型:LPDDR4
  容量:4GB(具体容量可能因配置不同而有所变化)
  数据速率:2133Mbps(具体速率可能根据配置不同而变化)
  电压:1.1V(工作电压)
  封装类型:BGA
  引脚数:根据具体封装形式而定
  温度范围:工业级温度范围(-40°C 至 +85°C)
  接口类型:并行接口
  带宽:高带宽支持,适合高性能系统设计

特性

H9DPAGA3JJMCGR-KEM 芯片具有多项先进的技术特性,使其在现代电子设备中具有广泛的应用潜力。首先,它采用了LPDDR4标准,显著降低了功耗,这对于移动设备来说至关重要,能够有效延长电池续航时间。该芯片支持高达2133Mbps的数据传输速率,提供更高的数据吞吐能力,满足高端应用对内存带宽的需求。
  其次,该芯片采用1.1V的低电压供电,进一步优化了功耗表现。相比前代LPDDR3,LPDDR4在功耗和性能之间实现了更好的平衡。此外,该芯片支持多种节能模式,包括深度掉电模式、自刷新模式等,以适应不同应用场景下的功耗管理需求。
  在封装方面,H9DPAGA3JJMCGR-KEM 使用先进的BGA(球栅阵列)封装技术,提供了良好的散热性能和电气性能,适用于高密度PCB布局和高性能系统设计。其工业级温度范围(-40°C 至 +85°C)使其能够在各种恶劣环境中稳定运行,适用于工业控制、车载电子等对稳定性要求较高的场景。
  此外,该芯片具备较高的可靠性和稳定性,支持ECC(错误校验与纠正)功能(视具体配置而定),能够在高负载或数据敏感的应用中提供更可靠的数据存储保障。

应用

H9DPAGA3JJMCGR-KEM 主要应用于对内存性能和功耗有较高要求的移动设备和嵌入式系统。例如,它广泛用于高端智能手机、平板电脑、可穿戴设备、AR/VR设备等消费类电子产品中,作为主内存使用,提供快速的数据存取能力。
  此外,该芯片也适用于需要高性能、低功耗内存的嵌入式系统,如工业控制设备、智能摄像头、车载信息娱乐系统(IVI)、车载导航系统、边缘计算设备以及物联网(IoT)网关等应用场景。
  由于其支持工业级温度范围,H9DPAGA3JJMCGR-KEM 也可用于对环境适应性要求较高的工业和车载应用中。在高性能计算和边缘AI设备中,该芯片能够为应用处理器提供足够的内存带宽,确保系统的高效运行。

替代型号

H9DPCACUMUMUBK-NEC, H9HPG8ALPMUDAR-KMM, H9HKNNNCTUMUBKU

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