H9DKNNN6AJMPRR-NEM是一款由SK海力士(SK Hynix)制造的高密度、高性能的DRAM(动态随机存取存储器)芯片,主要用于高端计算设备、服务器、网络设备和嵌入式系统中。该芯片属于LPDDR4X系列,具备低功耗、高带宽和大容量等特点,适用于需要高速数据处理能力的应用场景。这款DRAM芯片采用BGA(球栅阵列)封装,具备良好的散热性能和电气性能,适用于紧凑型设计的主板和移动设备。
类型:DRAM
系列:LPDDR4X
容量:2GB x 16位(总共32GB)
工作电压:1.1V
时钟频率:4266Mbps
封装类型:BGA
封装尺寸:根据具体型号可能略有不同
数据宽度:16位
温度范围:工业级(通常为-40°C至+85°C)
接口标准:JEDEC标准接口
制造厂商:SK Hynix
H9DKNNN6AJMPRR-NEM具有多项先进的技术特性,使其在现代电子系统中表现出色。首先,它是LPDDR4X系列的一部分,具备低功耗特性,适用于对能效要求较高的移动设备和嵌入式系统。相比前代LPDDR4,LPDDR4X在功耗上进一步降低,有助于延长电池续航时间。
其次,该芯片支持高达4266Mbps的数据传输速率,能够提供极高的内存带宽,满足高性能计算、图形处理和AI加速等应用的需求。其16位数据宽度设计也有助于提升数据吞吐量。
此外,H9DKNNN6AJMPRR-NEM采用了先进的BGA封装技术,确保了良好的信号完整性和热管理性能,适用于高密度PCB布局。该芯片的工业级温度范围使其能够在各种严苛环境下稳定运行,适用于工业控制、车载系统和通信设备等应用领域。
该芯片还支持多种低功耗模式,如自刷新模式(Self-Refresh Mode)和深度掉电模式(Deep Power-Down Mode),可在设备闲置时显著降低能耗。
H9DKNNN6AJMPRR-NEM广泛应用于高性能计算设备、服务器、网络交换机、5G通信设备、智能汽车系统、工业控制设备以及高端移动设备(如智能手机和平板电脑)。其高速度和低功耗特性使其特别适合需要大量数据处理能力的AI加速卡和边缘计算设备。此外,该芯片也可用于嵌入式视觉系统、无人机和AR/VR设备等前沿科技产品。
H9HKNNN8ASMLRR-NEU, H9HKNNN8ASMLUR-NEU, H9DKNNN6AJMPRR-NEM的替代型号包括其他SK Hynix LPDDR4X系列DRAM芯片,如H9HKNNN8ASMLRR-NEU和H9HKNNN8ASMLUR-NEU,具体可根据容量、速度和封装要求进行选择。