时间：2025/7/23 18:32:36
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NVMFD6H846NLT1G是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件专为高效率、高性能的电源管理系统而设计，适用于DC-DC转换器、负载开关、电机控制和电源管理等多种应用场合。NVMFD6H846NLT1G采用先进的Trench沟槽技术，提供低导通电阻（RDS(on)）和快速开关性能，能够在高频率下运行，减少开关损耗。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：80V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：180A（在TC=25℃时）
导通电阻（RDS(on)）：最大4.6mΩ（在VGS=10V时）
工作温度范围：-55℃至175℃
封装类型：PowerPAK SO-8双封装
功率耗散（PD）：3.5W
栅极电荷（Qg）：26nC（典型值，VGS=10V）
输入电容（Ciss）：1820pF（典型值，VDS=25V）
NVMFD6H846NLT1G具备多项优良特性，使其在高性能功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）显著降低了导通损耗，提高了整体效率。该器件采用Trench沟槽技术，优化了导通性能与开关性能之间的平衡。其次，NVMFD6H846NLT1G具有快速开关速度，有助于减少开关损耗，适用于高频开关应用。其栅极电荷（Qg）较低，减少了驱动电路的能量需求，同时加快了开关过程。
该MOSFET的封装形式为PowerPAK SO-8双封装，具有良好的热性能，能够有效散热，确保器件在高电流条件下稳定运行。此外，NVMFD6H846NLT1G的工作温度范围较宽，可在极端环境下保持稳定性能，适用于工业控制、汽车电子等对可靠性要求较高的领域。
器件还具有高耐用性和抗过载能力，能够承受瞬时过流和高温冲击。其栅源电压（VGS）可达±20V，提供较高的驱动灵活性和安全性。输入电容（Ciss）较低，有助于减少高频开关时的驱动损耗。
NVMFD6H846NLT1G广泛应用于多种电源管理系统中。典型应用包括同步整流器、DC-DC降压/升压转换器、电池管理系统、负载开关和电机控制电路。其低导通电阻和快速开关特性使其特别适合用于高效率的开关电源（SMPS）设计中，以提高能量转换效率并减少发热。
在服务器和通信设备的电源模块中，NVMFD6H846NLT1G可用于优化电源转换效率，满足高密度电源设计的需求。此外，在电动汽车（EV）和混合动力汽车（HEV）的电源系统中，该器件可作为功率开关，支持高效的能量管理。
该MOSFET还可用于工业自动化控制、电源适配器、UPS（不间断电源）系统、LED照明驱动电路以及便携式电子设备的电源管理模块。
Si7461DP-T1-GE3, FDS6680, IRF6665, NVTFS6H846NLTFG
