时间：2025/9/1 16:56:04
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H9DKNNN51JMRJR是一款由SK海力士（SK Hynix）生产的高密度DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于移动LPDDR4X SDRAM类别。该芯片设计用于高性能移动设备，如智能手机、平板电脑以及需要低功耗和高带宽的嵌入式系统。H9DKNNN51JMRJR采用先进的堆叠封装技术（PoP，Package on Package），将多个DRAM芯片堆叠在一个封装中，以节省空间并提高数据处理能力。
容量：8GB（64Gb）
类型：LPDDR4X SDRAM
封装类型：PoP（Package on Package）
封装尺寸：具体尺寸根据设备需求可能有所不同，通常为小型BGA封装
电压：1.1V（核心电压VDD），0.6V（辅助电压VDDQ）
数据速率：最高可达4266 Mbps/pin
接口：JEDEC兼容的LPDDR4X接口
带宽：支持多通道架构，提供高带宽内存访问
温度范围：工业级温度范围（-40°C至+85°C）
制造工艺：基于SK Hynix的先进DRAM制造技术
H9DKNNN51JMRJR具备出色的低功耗性能，适合移动设备的节能需求。其LPDDR4X标准支持高数据传输速率，同时通过降低工作电压来减少功耗。该芯片采用PoP封装技术，使得DRAM模块可以直接堆叠在应用处理器（AP）之上，从而节省PCB空间，提高系统集成度。此外，H9DKNNN51JMRJR支持高带宽模式（High Bandwidth Mode），可提升图形处理和多任务操作的性能。其内部结构优化了信号完整性和时序控制，确保在高频下稳定运行。芯片还具备良好的散热性能，适应复杂的设备环境。此外，它兼容JEDEC标准，便于设计和量产。
H9DKNNN51JMRJR广泛应用于高端智能手机、平板电脑、可穿戴设备以及需要高性能和低功耗内存的嵌入式系统。该芯片特别适合需要大量内存带宽的应用场景，如高清视频播放、3D图形渲染、AI加速处理和多任务操作系统。
H9HKNNN81MUMUR
