品牌：Samsung
　　类型：eMMC存储器
　　版本：eMMC 5.1
　　容量：128GB
　　封装类型：BGA
　　工作电压：2.7V - 3.6V
　　数据总线宽度：8位
　　最大读取速度：约400MB/s
　　最大写入速度：约250MB/s
　　温度范围：商业级（0°C 至 70°C）
　　封装尺寸：11.5mm x 14mm x 1.0mm（典型）

H9DKNNN4JJAPCRNEM 是一款高性能、低功耗的嵌入式存储设备，采用三星先进的eMMC技术。该芯片内建高效的NAND闪存控制器，可自动处理磨损均衡、错误校正和垃圾回收等功能，从而延长使用寿命并提高可靠性。其采用的eMMC 5.1接口标准支持高速数据传输，读取速度可达400MB/s，写入速度可达250MB/s，适用于高清视频播放、大型应用运行等高带宽需求场景。此外，该芯片具备良好的兼容性，可与多种嵌入式平台无缝集成，简化开发流程。其紧凑的BGA封装设计有助于节省PCB空间，适合轻薄便携设备的应用需求。
　　在可靠性方面，H9DKNNN4JJAPCRNEM 支持ECC（错误校正码）功能，能够在数据读取过程中自动检测并纠正错误，保障数据完整性。此外，它还支持多种安全功能，如写保护、安全擦除等，满足用户对数据安全性的需求。这款芯片还具备良好的功耗管理能力，在低功耗模式下能够显著降低待机功耗，延长设备续航时间。因此，H9DKNNN4JJAPCRNEM 是一款适用于多种高性能嵌入式系统的理想存储解决方案。

H9DKNNN4JJAPCRNEM 主要应用于需要大容量嵌入式存储的设备，如智能手机、平板电脑、智能电视、机顶盒、车载娱乐系统、工业控制设备以及物联网（IoT）终端等。其高速读写能力和高可靠性使其特别适合用于运行复杂操作系统、大型应用程序和高清多媒体内容的设备。此外，由于其紧凑的封装尺寸和低功耗特性，该芯片也非常适合用于空间受限且对续航有要求的移动设备。

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