时间：2025/9/1 23:04:21
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H9DKNNN4JJAPCR-NEMR 是一款由SK Hynix（海力士）公司生产的高密度、高性能的DRAM（动态随机存取存储器）芯片，广泛用于需要大容量内存和高速数据访问的电子设备中。该芯片采用先进的制造工艺，提供出色的稳定性和可靠性，在移动设备、嵌入式系统以及消费类电子产品中具有广泛应用。H9DKNNN4JJAPCR-NEMR 通常用于智能手机、平板电脑、智能穿戴设备等对内存性能和功耗有较高要求的应用场景。
容量：4Gb
组织结构：x16
工作电压：1.8V
封装类型：BGA
封装尺寸：130-ball
温度范围：工业级(-40°C至+85°C)
接口类型：LPDDR2
最大工作频率：1066MHz
数据速率：800Mbps
CAS延迟：CL=5,6,7
自动刷新：支持
自刷新：支持
部分阵列自刷新（PASR）：支持
深度功率下降模式：支持
H9DKNNN4JJAPCR-NEMR 是一款低功耗、高性能的DRAM芯片，适用于对能效和处理速度有严格要求的便携式设备。该芯片支持多种节能模式，包括自动刷新、自刷新、部分阵列自刷新（PASR）和深度功率下降模式，有效降低系统整体功耗。
其采用LPDDR2接口，最高数据速率达800Mbps，工作频率可达1066MHz，满足高速数据处理需求。此外，H9DKNNN4JJAPCR-NEMR 工作电压为1.8V，有助于减少电力消耗并提升设备续航能力。
该芯片封装形式为130-ball BGA，体积小巧，适合高密度PCB布局。其支持的CAS延迟为CL=5、CL=6和CL=7，具备良好的兼容性和灵活性，适用于多种系统架构。
在工业温度范围内（-40°C至+85°C）稳定工作，使其适用于各种严苛环境条件下的电子设备。
H9DKNNN4JJAPCR-NEMR 主要应用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备等移动终端设备中，作为系统主内存使用。此外，它也可用于嵌入式计算设备、工业控制系统、车载信息娱乐系统、智能家电等需要高性能和低功耗内存的场景。
H9DRNNN8JJAPCR-NEMR,H9DNNNN8GJAPCR-NEU
