H9DKNNN4JJAPCR-NEMR 是一款由SK Hynix(海力士)公司生产的高密度、高性能的DRAM(动态随机存取存储器)芯片,广泛用于需要大容量内存和高速数据访问的电子设备中。该芯片采用先进的制造工艺,提供出色的稳定性和可靠性,在移动设备、嵌入式系统以及消费类电子产品中具有广泛应用。H9DKNNN4JJAPCR-NEMR 通常用于智能手机、平板电脑、智能穿戴设备等对内存性能和功耗有较高要求的应用场景。
容量:4Gb
组织结构:x16
工作电压:1.8V
封装类型:BGA
封装尺寸:130-ball
温度范围:工业级(-40°C至+85°C)
接口类型:LPDDR2
最大工作频率:1066MHz
数据速率:800Mbps
CAS延迟:CL=5,6,7
自动刷新:支持
自刷新:支持
部分阵列自刷新(PASR):支持
深度功率下降模式:支持
H9DKNNN4JJAPCR-NEMR 是一款低功耗、高性能的DRAM芯片,适用于对能效和处理速度有严格要求的便携式设备。该芯片支持多种节能模式,包括自动刷新、自刷新、部分阵列自刷新(PASR)和深度功率下降模式,有效降低系统整体功耗。
其采用LPDDR2接口,最高数据速率达800Mbps,工作频率可达1066MHz,满足高速数据处理需求。此外,H9DKNNN4JJAPCR-NEMR 工作电压为1.8V,有助于减少电力消耗并提升设备续航能力。
该芯片封装形式为130-ball BGA,体积小巧,适合高密度PCB布局。其支持的CAS延迟为CL=5、CL=6和CL=7,具备良好的兼容性和灵活性,适用于多种系统架构。
在工业温度范围内(-40°C至+85°C)稳定工作,使其适用于各种严苛环境条件下的电子设备。
H9DKNNN4JJAPCR-NEMR 主要应用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备等移动终端设备中,作为系统主内存使用。此外,它也可用于嵌入式计算设备、工业控制系统、车载信息娱乐系统、智能家电等需要高性能和低功耗内存的场景。
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