FW501-TL-E是一款由Diodes Incorporated生产的表面贴装肖特基势垒二极管,专为高效率、低电压应用而设计。该器件采用先进的芯片制造工艺,具备优异的电气性能和可靠性,广泛应用于便携式电子设备、电源管理电路以及信号整流等场合。FW501-TL-E封装在小型SOD-123FL封装中,具有较小的占板面积,非常适合空间受限的应用环境。该二极管的主要特点包括低正向压降、快速开关响应和高反向击穿电压,使其能够在高频率开关电源和DC-DC转换器中有效减少功率损耗,提升系统整体能效。此外,该器件符合RoHS环保标准,并通过了无卤素认证,满足现代电子产品对绿色环保的要求。其结构设计优化了热性能,有助于在高负载条件下保持稳定工作温度,从而提高长期运行的可靠性。由于其出色的反向漏电流控制能力,在高温环境下仍能维持较低的功耗表现,适用于电池供电设备中以延长续航时间。
产品类型:肖特基二极管
配置:单个
最大重复反向电压(VRRM):20V
最大平均正向整流电流(IF(AV)):500mA
峰值正向浪涌电流(IFSM):4A
最大正向电压(VF):450mV @ 250mA, 1V @ 500mA
最大反向漏电流(IR):0.1μA @ 20V, 25°C;100μA @ 20V, 125°C
反向恢复时间(trr):典型值5ns
工作结温范围(TJ):-55°C 至 +150°C
存储温度范围(TSTG):-55°C 至 +150°C
封装/外壳:SOD-123FL
安装类型:表面贴装(SMT)
高度:0.95mm 最大
引脚数:2
湿气敏感等级(MSL):1级(<=30°C / 85% RH)
符合标准:RoHS、无卤素
FW501-TL-E的核心优势在于其低正向导通压降与高速开关能力的结合,这使得它在低电压、高效率电源转换应用中表现出色。在250mA的测试条件下,其正向压降仅为450mV,显著低于传统PN结二极管,从而大幅降低了导通期间的能量损耗,提高了电源系统的整体效率。这种低VF特性尤其适合用于便携式设备中的电池保护电路、反向极性保护以及DC-DC升压或降压转换器的续流二极管。
该器件的反向恢复时间非常短,典型值仅为5ns,这意味着在高频开关操作中几乎不会产生明显的反向恢复电荷,减少了开关过程中的瞬态电流尖峰和电磁干扰(EMI),提升了系统的稳定性与安全性。这一特性使其非常适合用于高频开关电源、同步整流替代方案以及信号解调等需要快速响应的场景。
SOD-123FL封装不仅体积小巧(仅约2mm x 1.3mm),而且具有良好的热传导性能,能够有效地将内部产生的热量传递到PCB上,增强散热效果。此外,该封装支持自动化贴片生产,适用于大规模回流焊工艺,确保制造过程中的高可靠性和一致性。
FW501-TL-E的工作结温可达+150°C,表明其具备良好的高温耐受能力,可在恶劣热环境下稳定运行。同时,其在125°C高温下的反向漏电流仍被控制在100μA以内,说明其材料和工艺在抑制漏电流方面做了优化处理,避免因漏电增加而导致额外功耗或热失控风险。
总体而言,FW501-TL-E凭借其小尺寸、高效能、高可靠性和环保合规性,成为现代消费类电子、工业控制模块、物联网设备及通信终端中理想的整流与保护元件选择。
FW501-TL-E广泛应用于多种低电压、高效率的电子系统中。常见用途包括便携式消费电子产品如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电源管理单元,作为防反接保护二极管或电池充电路径上的隔离元件。在这些应用中,其低正向压降有助于减少能量损失,延长电池使用时间。
该器件也常用于各类DC-DC转换器电路中,特别是在非同步降压(Buck)或升压(Boost)拓扑结构中充当续流二极管,利用其快速反向恢复特性来降低开关损耗并改善动态响应性能。此外,在低压差线性稳压器(LDO)的输出端,FW501-TL-E可用于防止输出端电压高于输入端时发生倒灌电流现象,起到理想二极管的作用。
在USB供电接口、充电器适配器、LED驱动电源等小型化电源模块中,FW501-TL-E因其小型SMD封装和良好热性能而备受青睐,有助于实现紧凑型设计。同时,其高频特性使其适用于信号整流、检波电路以及高频噪声抑制等模拟前端应用。
工业领域中,该二极管可用于传感器模块、PLC输入接口、继电器驱动电路中的反激保护,防止感性负载断开时产生的高压反电动势损坏控制芯片。另外,在汽车电子中的低功率辅助系统(如车载信息娱乐系统的电源部分)也可采用该型号,前提是工作条件在其额定范围内。
由于其符合RoHS和无卤素标准,FW501-TL-E适用于对环保要求较高的出口型电子产品和医疗设备中,确保产品符合国际法规要求。
DF501-7-F
MBR501-T
PMDS501PE-7
SMS501-TP
ZLS501