时间：2025/9/1 20:11:07
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H9DKNNN4JJAPCR-NEM 是由SK Hynix（海力士）生产的一款高密度、高性能的DRAM（动态随机存取存储器）芯片，采用BGA（球栅阵列）封装技术。该型号通常用于需要高速数据处理和大容量内存的高端设备，例如智能手机、平板电脑、嵌入式系统以及工业计算机等。这款DRAM芯片支持低功耗操作，适用于对能耗敏感的应用场景。
存储容量：4GB
内存类型：DRAM
封装类型：BGA
内存电压：1.8V / 3.3V
接口类型：并行接口
工作温度范围：-40°C至+85°C
数据宽度：16位
最大访问时间：5.4ns
时钟频率：166MHz
H9DKNNN4JJAPCR-NEM 具备多种高性能特性，使其适用于多种高性能计算和存储应用。该芯片的存储容量为4GB，具备16位的数据宽度，使其能够在高频率下传输大量数据，适用于需要快速数据处理的场景。芯片支持166MHz的时钟频率，能够提供高速的数据读写能力，满足现代电子设备对内存速度的需求。此外，其5.4ns的访问时间确保了快速响应，降低了系统延迟。
在封装方面，该芯片采用BGA封装技术，具有良好的电气性能和热稳定性，适合在高密度PCB布局中使用。其工作温度范围为-40°C至+85°C，适用于工业级环境条件，确保在严苛环境下稳定运行。芯片的工作电压为1.8V和3.3V双电源供电，提供了灵活性，同时支持低功耗模式，有助于延长电池供电设备的续航时间。
另外，该DRAM芯片的并行接口设计允许其与多种控制器和处理器兼容，便于系统集成。其高可靠性和稳定性使其成为工业控制、车载系统、医疗设备和消费类电子产品中的理想选择。
H9DKNNN4JJAPCR-NEM 通常用于需要高性能内存的嵌入式系统和便携式电子设备。典型应用包括智能手机、平板电脑、数字电视、机顶盒、工业控制计算机、车载导航系统以及智能穿戴设备。由于其高容量、高速度和低功耗特性，该芯片也适用于需要稳定运行的工业和通信设备，如网络路由器、数据存储模块和自动化控制系统。
H9DRNNN4GJAPCR-NEM, H9DOGNNAFTAGR-NEM, H9DUNNNNMTAxxR-NEM
