时间：2025/9/2 6:22:37
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H9DA8WH4JJMMCR-4EM是一种由SK Hynix生产的高密度、高性能的NAND闪存芯片。该芯片设计用于需要大容量存储和高速数据访问的设备，例如智能手机、平板电脑、固态硬盘（SSD）以及其他便携式电子设备。该型号采用BGA（球栅阵列）封装，具有较高的可靠性和耐用性，适用于消费类电子产品和工业级应用。H9DA8WH4JJMMCR-4EM的存储容量为8GB，支持单层单元（SLC）模式操作，提供更高的写入速度和更长的使用寿命。
存储容量：8GB
封装类型：BGA
接口类型：ONFI 2.3
工作电压：2.7V - 3.6V
数据读取速度：最高50MB/s
数据写入速度：最高20MB/s
擦除时间：块擦除时间约1.5ms
工作温度范围：-40°C至+85°C
封装尺寸：10.2mm x 14.2mm x 1.0mm
H9DA8WH4JJMMCR-4EM NAND闪存芯片具有多项关键特性，使其在各类存储应用中表现出色。首先，它采用了ONFI（Open NAND Flash Interface）2.3标准接口，提供了标准化的接口协议，提高了与其他控制器的兼容性，并简化了系统设计。此外，该芯片支持SLC（Single-Level Cell）模式操作，通过将每个存储单元仅存储1位数据，提高了数据写入速度和存储寿命，特别适用于需要频繁写入和高可靠性的应用场景。
该芯片的封装尺寸为10.2mm x 14.2mm x 1.0mm，属于小型BGA封装类型，适用于空间受限的便携式设备设计。其工作温度范围为-40°C至+85°C，确保在各种环境条件下都能稳定运行，适用于工业级和车载应用。
H9DA8WH4JJMMCR-4EM还具备低功耗特性，在待机模式下电流消耗极低，有助于延长设备的电池寿命。同时，该芯片支持ECC（错误校正码）功能，可以在数据读取过程中自动检测并纠正错误，从而提高数据完整性和可靠性。
此外，该NAND闪存芯片采用了先进的制造工艺，确保了高良品率和长期供货稳定性。其支持的擦除和写入周期可达数万次，适用于需要频繁更新数据的应用场景。
H9DA8WH4JJMMCR-4EM广泛应用于多种需要大容量、高速存储的电子设备中。其主要应用包括智能手机、平板电脑、嵌入式系统、车载导航系统、工业控制设备以及便携式医疗设备等。由于其支持SLC模式和工业级温度范围，非常适合用于需要高可靠性和长寿命的工业和车载系统。此外，该芯片也可用于固态硬盘（SSD）的缓存或主存储部分，提升整体存储性能。
H9DA8WH4JJMMCR-4EM的替代型号包括H9DA8WH4JJMMCR-4EM的升级版本如H9DA8WH5JCJMMR-4EM，或类似的NAND闪存芯片如Toshiba的TC58NVG2S0H28NG和Samsung的K9F8G08U0D。这些型号在容量、接口兼容性和性能方面相近，可根据具体应用需求进行选择。
